低漏磁電抗器制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種低漏磁電抗器，包括鐵芯，鐵芯由兩個邊柱、中柱以及兩個連接部分構(gòu)成日字形，兩個邊柱和中柱并列設(shè)置，且兩個邊柱分別位于中柱的軸線的兩側(cè)，兩個連接部分分別連接于邊柱和中柱的同側(cè)端部，鐵芯由E形部和I形部組合而成，兩個邊柱、中柱和一個連接部分構(gòu)成E形部，另一個連接部分構(gòu)成I形部，E形部中兩個邊柱的端部和中柱的端部與I形部相連接，中柱的高度小于邊柱的高度，且E形部中邊柱的端部與I形部相焊接固定，中柱的端部與I形部之間形成氣隙。本實(shí)用新型專利技術(shù)的電抗器僅在中柱與I形部之間設(shè)置有氣隙，而在邊柱與I形部之間不具有間隙，可以有效降低鐵芯的漏磁，并降低其收到的電磁干擾。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
低漏磁電抗器
本技術(shù)涉及一種電抗器。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的電抗器中，其鐵芯呈“日”字形，并由分別呈“E”字形和“ I”字形的兩部分組合而成，該鐵芯包括三個相平行的柱狀部分，分別為兩個邊柱和一個中柱，另外兩個柱狀部分則分別連接邊柱和中柱的同側(cè)的端部，稱之為連接部分。其中，一個連接部分和兩個邊柱以及一個中柱構(gòu)成呈“E”字形的部分，而另一個連接部分則單獨(dú)構(gòu)成呈“I”字形的部分。兩個邊柱和一個中柱的高度是相同的。當(dāng)組裝形成鐵芯時(shí)，在“E”字形部分和“ I”字形部分之間留有氣隙，即“E”字形部分中的兩個邊柱和一個中柱的端部與“I”字形部分之間分別都具有氣隙。具有這種結(jié)構(gòu)鐵芯的電抗器在工作時(shí)會出現(xiàn)較多漏磁，并且容易收到電磁干擾。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是提供一種降低漏磁以及電磁干擾的低漏磁電抗器。為達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是:一種低漏磁電 抗器，包括鐵芯，所述的鐵芯由兩個邊柱、中柱以及兩個連接部分構(gòu)成日字形，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設(shè)置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接部分分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，所述的鐵芯由E形部和I形部組合而成，兩個所述的邊柱、所述的中柱和一個所述的連接部分構(gòu)成所述的E形部，另一個所述的連接部分構(gòu)成所述的I形部，所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，且所述的E形部中所述的邊柱的端部與所述的I形部相焊接固定，所述的中柱的端部與所述的I形部之間形成氣隙。所述的E形部由若干呈E字形的硅鋼片疊設(shè)而成，所述的I形部由若干呈I字形的硅鋼片疊設(shè)而成。所述的低漏磁電抗器還包括線圈以及支架。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn):本技術(shù)的電抗器僅在中柱與I形部之間設(shè)置有氣隙，而在邊柱與I形部之間不具有間隙，可以有效降低鐵芯的漏磁，并降低其收到的電磁干擾。【附圖說明】附圖1為本技術(shù)的低漏磁電抗器的側(cè)視示意圖。附圖2為本技術(shù)的低漏磁電抗器的鐵芯的主視示意圖。以上附圖中:1、邊柱；2、中柱；3、連接部分；4、E形部；5、I形部；6、氣隙；7、鉚接孔；8、鐵芯；9、焊接部。【具體實(shí)施方式】下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對本技術(shù)作進(jìn)一步描述。實(shí)施例一:參見附圖1所示。一種低漏磁電抗器，包括鐵芯8、繞設(shè)于鐵芯8上的線圈以及支撐鐵芯8的支架等部分構(gòu)成。參見附圖2所示。鐵芯8由兩個邊柱1、中柱2以及兩個連接部分3構(gòu)成日字形，兩個邊柱I和中柱2并列設(shè)置，且兩個邊柱I分別位于中柱2的軸線的兩側(cè)，兩個連接部分3分別連接于邊柱I和中柱2的同側(cè)端部。鐵芯8由E形部4和I形部5組合而成，兩個邊柱1、中柱2和一個連接部分3構(gòu)成E形部4，另一個連接部分3構(gòu)成I形部5，且E形部4由若干呈E字形的硅鋼片疊設(shè)并通過鉚接孔7鉚接而成，I形部5由若干呈I字形的硅鋼片疊設(shè)并通過鉚接孔7鉚接而成。定義中柱2或邊柱I沿兩個連接部分3之間方向上的長度為其高度，中柱2的高度Ii1小于邊柱I的高度h2，且E形部4中邊柱I的端部與I形部5相焊接固定形成焊接部9而不具有氣隙，中柱2的端部與I形部5之間形成氣隙6。通過上述結(jié)構(gòu)，即中柱2的端部與I形部5之間形成氣隙6，而邊柱I的端部與I形部5之間沒有氣隙，可以降低鐵芯8的漏磁以及電磁干擾。上述實(shí)施例只為說明本技術(shù)的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本技術(shù)的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本技術(shù)的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本技術(shù)精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低漏磁電抗器，包括鐵芯，所述的鐵芯由兩個邊柱、中柱以及兩個連接部分構(gòu)成日字形，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設(shè)置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接部分分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，所述的鐵芯由E形部和I形部組合而成，兩個所述的邊柱、所述的中柱和一個所述的連接部分構(gòu)成所述的E形部，另一個所述的連接部分構(gòu)成所述的I形部，其特征在于：所述的中柱的高度小于所述的邊柱的高度，且所述的E形部中所述的邊柱的端部與所述的I形部相焊接固定，所述的中柱的端部與所述的I形部之間形成氣隙。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種低漏磁電抗器，包括鐵芯，所述的鐵芯由兩個邊柱、中柱以及兩個連接部分構(gòu)成日字形，兩個所述的邊柱和所述的中柱并列設(shè)置，且兩個所述的邊柱分別位于所述的中柱的軸線的兩側(cè)，兩個所述的連接部分分別連接于所述的邊柱和所述的中柱的同側(cè)端部，所述的鐵芯由E形部和I形部組合而成，兩個所述的邊柱、所述的中柱和一個所述的連接部分構(gòu)成所述的E形部，另一個所述的連接部分構(gòu)成所述的I形部，其特...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：沈永福，
申請(專利權(quán))人：蘇州康開電氣有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：