一種低介復合絕緣材料及其制備方法技術

本發(fā)明專利技術公開了一種低介復合絕緣材料及其制備方法，所述低介復合絕緣材料包括：硅硼酸鹽玻璃和鈣長石，所述硅硼酸鹽玻璃為基體相，鈣長石為摻雜相；所述硅硼酸鹽玻璃和鈣長石的質(zhì)量百分配比為60～80∶20～40，在1200℃下燒結45min而成，介電常數(shù)4.585。本發(fā)明專利技術的制備方法操作簡便，容易實現(xiàn)，所制備的低介復合絕緣材料具有抗折強度高、介電常數(shù)低的優(yōu)點，可顯著提高信號的傳輸速度。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及絕緣材料制備
，特別是涉及。
技術介紹
絕緣材料是用于使不同電位的導電部分隔離的材料，廣泛應用于電氣設備、航空、航天和通訊
。隨著電氣設備不斷向小型化、輕量化、高密度化方向的發(fā)展，出現(xiàn)了高耐熱性的絕緣材料，保證電氣設備在高溫、高負載等嚴酷條件下長期可靠運行。近年來，隨著半導體技術及航空、航天、通訊技術的快速發(fā)展，封裝絕緣材料還必須具備低的介電常數(shù)以進一步提高信號的傳輸速度，減少信號的延遲時間。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術主要解決的技術問題是提供。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是:提供一種低介復合絕緣材料，包括:硅硼酸鹽玻璃和鈣長石，所述硅硼酸鹽玻璃為基體相，鈣長石為摻雜相；所述硅硼酸鹽玻璃和?丐長石的質(zhì)量百分配比為60~80: 20~40。為解決上述技術問題，本專利技術采用的另一個技術方案是:提供一種制備低介復合絕緣材料的方法，該制備方法步驟包括: (1)制備鈣長石:在帶 自動攪拌功能的高溫高壓反應釜中依次加入干燥的氫氧化鋁、碳酸鈣和二氧化硅，在一定溫度、壓力條件下反應2h得到鈣長石備用； (2)制備低介復合絕緣材料:將硅硼酸鹽玻璃和步驟(1)制備的鈣長石干燥、混合后，用濕法球磨機研磨30min，干燥，再加入粘合劑干壓成型，成型樣品經(jīng)950~980°C燒結30~60min,得到低介復合絕緣材料。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(1)中，氫氧化鋁、碳酸鈣和二氧化硅的質(zhì)量百分配比為1:3:2。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(1)中，所述反應溫度為1200°C，反應壓力為 IOMPa。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(2 )中，所述硅硼酸鹽玻璃和鈣長石的質(zhì)量配比為65:35。在本專利技術一個較佳實施例中，所述步驟(2)中，所述燒結溫度為965°C，燒結時間為 45min。本專利技術的有益效果是:本專利技術一種低介復合絕緣材料的制備方法，操作簡便，容易實現(xiàn)，所制備的低介復合絕緣材料具有抗折強度高、介電常數(shù)低的優(yōu)點，可顯著提高信號的傳輸速度。【具體實施方式】[0011 ] 下面對本專利技術的較佳實施例進行詳細闡述，以使本專利技術的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本專利技術的保護范圍做出更為清楚明確的界定。本專利技術所用原料均為工業(yè)純，市售，未提到的反應條件按本領域常規(guī)條件進行。本專利技術實施例包括: 一種低介復合絕緣材料，包括:硅硼酸鹽玻璃和鈣長石，所述硅硼酸鹽玻璃為基體相，鈣長石為摻雜相；所述娃硼酸鹽玻璃和?丐長石的質(zhì)量百分配比為60~80: 20~40。本專利技術制備方法如下: (1)制備鈣長石:在帶自動攪拌功能的高溫高壓反應釜中按質(zhì)量比為1:3:2的比例依次加入干燥的氫氧化鋁、碳酸鈣和二氧化硅并混合均勻，在1200°C、IOMPa下反應2h得到鈣長石備用； (2)制備低介復合絕緣材料:將硅硼酸鹽玻璃和步驟(1)制備的鈣長石干燥并以65:35的質(zhì)量比例混合，用濕法球磨機研磨30min，干燥，再加入粘合劑干壓成型，成型樣品經(jīng)965°C燒結45min，得到低介復合絕緣材料。上述方法制備的低介復合絕緣材料的主要性能如下: 介電常數(shù)4.585，介質(zhì)損耗2.35X10—3，抗折強度115MPa，50~550°C下的熱膨脹系數(shù)為 3.0XlO-V0Co以上所述僅為本專利技術的實施例，并非因此限制本專利技術的專利范圍，凡是利用本專利技術說明書內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的
，均同理包括在本專利技術的專利保護`范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種低介復合絕緣材料，其特征在于，包括：硅硼酸鹽玻璃和鈣長石，所述硅硼酸鹽玻璃為基體相，鈣長石為摻雜相；所述硅硼酸鹽玻璃和鈣長石的質(zhì)量百分配比為60～80:?20～40；所述低介絕緣材料的介電常數(shù)4.585。

【技術特征摘要】
1. 一種低介復合絕緣材料，其特征在于，包括:硅硼酸鹽玻璃和鈣長石，所述硅硼酸鹽玻璃為基體相，鈣長石為摻雜相；所述硅硼酸鹽玻璃和鈣長石的質(zhì)量百分配比為60~80:20~40 ;所述低介絕緣材料的介電常數(shù)4.585。2.一種制備權利要求1所述的低介復合絕緣材料的方法，其特征在于，該制備方法步驟包括: (1)制備鈣長石:在帶自動攪拌功能的高溫高壓反應釜中依次加入干燥的氫氧化鋁、碳酸鈣和二氧化硅，在一定溫度、壓力條件下反應2h得到鈣長石備用； (2)制備低介復合絕緣材料:將硅硼酸鹽玻璃和步驟(1)制備的鈣長石干燥、混合后，用濕法球磨機研磨30min，干燥，再加入粘合劑干壓成型，成型樣品...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：周巧芬，
申請(專利權)人：昆山市奮發(fā)絕緣材料有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：