本發明專利技術提出一種非連續復合阻擋層及其形成方法。非連續復合阻擋層包括：一第一阻擋層，位于一基板上；以及一第二阻擋層，位于第一阻擋層上，其中第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機硅化合物(organo-silicon?material)區，且第一、第二阻擋層的無機材料區與有機硅化合物區上下交替堆疊。本發明專利技術還提供包含上述非連續復合阻擋層的封裝結構。
【技術實現步驟摘要】
非連續復合阻擋層、其形成方法及包含其的封裝結構
本專利技術涉及阻擋層，尤其涉及一種非連續復合阻擋層、其形成方法及其應用。
技術介紹
隨著科技的進步，軟性電子裝置的相關技術也已逐漸成熟。其中，有機發光二極管(OLED)具有自發光、輕、薄、省電等優勢，預期在未來可作為熒光燈管的替代產品。此外，有機發光二極管的發光材料為可撓曲的有機材料，其具有高對比度、反應速度快及廣視角等優點，可制作為可撓式有機發光二極管軟性面板顯示器，以取代目前硬式顯示器。一般而言，有機發光二極管軟性面板顯示器的高分子有機發光層及電極材料(如鈣、鎂等)對水氧敏感度高，因此當大氣中的水氣、氧氣由基板滲透時，會損害元件，因此，阻水、阻氣技術是相當重要的。綜上所述，目前仍需發展阻水、阻氣技術。
技術實現思路
在本專利技術一實施例中，提供一種非連續復合阻擋層，包括:一第一阻擋層，位于一基板上；以及一第二阻擋層，位于該第一阻擋層上，其中該第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機娃化合物(organo-silicon material)區,且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區與所述有機硅化合物區上下交替堆疊。在本專利技術一實施例中，提供一種具有非連續復合阻擋層的封裝結構，包括:一基板；一電子元件，位于該基板上；以及一非連續復合阻擋層，位于該電子元件上，其中該非連續復合阻擋層包括:一第一阻擋層，位于該電子元件上；以及一第二阻擋層，位于該第一阻擋層上，其中該第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機硅化合物區，且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區與所述有機硅化合物區上下交替堆疊。在本專利技術一實施例中，提供一種非連續復合阻擋層的形成方法，包括:提供一基板；在該基板上形成一第一阻擋層；以及在該第一阻擋層上形成一第二阻擋層，其與該第一阻擋層形成一非連續復合阻擋層，其中該第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機硅化合物區，且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區與所述有機硅化合物區上下交替堆疊。為了使本專利技術的上述和其它目的、特征、和優點能更明顯易懂，下文特舉出優選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下:【附圖說明】圖1是在本專利技術一實施例中形成的非連續復合阻擋層的剖面圖；圖2是在本專利技術一實施例中形成非連續復合阻擋層的方法流程圖；圖3是在圖2的步驟204中形成第一阻擋層102的方法的流程圖；圖4、5是以圖3的步驟形成的第一阻擋層102的各階段剖面圖；圖6、7是圖案化掩模的例子；圖8更詳細地顯示出在圖2的步驟206中形成第二阻擋層204的方法的流程圖；圖9、10是以圖的步驟形成的第二阻擋層104的各階段剖面圖；圖11是在本專利技術一實施例中的具非連續復合阻擋層的封裝結構的剖面圖；圖12是在另一實施例中的具非連續復合阻擋層的封裝結構的剖面圖；圖13是在一比較例中的封裝結構的剖面圖；圖14是在一實施例中的非連續復合阻擋層在撓曲時的示意圖；圖15是在一實施例中水氣滲透率變化百分比關系圖。【主要元件符號說明】100、1100、1200、1300 基板；102、1202a、1202b第一阻擋層；104、1204a、1204b 第二阻擋層；106、1206、1406 無機材料區； 108、1208、1408 有機硅化合物區；202,204,206,302,204,802,804 步驟；Pl第一位置；410圖案化掩模；W1、W2、W寬度；H1、H2高度；d距離；406第一區域；408第二區域；1114,1214非連續復合阻擋層；1112、1212、1301 電子元件；1303有機材料層；1305無機材料層；R曲率半徑。【具體實施方式】為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本專利技術作進一步的詳細說明。以下根據本專利技術的不同特征舉出數個不同的實施例。本專利技術中特定的元件及安排是為了簡化，但本專利技術并不以這些實施例為限。舉例而言，在第二元件上形成第一元件的描述可包括第一元件與第二元件直接接觸的實施例，也包括具有額外的元件形成在第一元件與第二元件之間、使得第一元件與第二元件并未直接接觸的實施例。此外，為簡明起見，本專利技術在不同例子中以重復的元件符號及/或字母表示，但不代表所述各實施例及/或結構間具有特定的關系。在本專利技術一實施例中，提出一種非連續復合阻擋層結構，通過非連續的無機材料區交錯排列于復合阻擋層中，并以有機硅化合物區來分隔非連續的無機材料區，據此形成具有阻水、阻氣效果的非連續復合阻擋層。圖1是在本專利技術一實施例中形成的非連續復合阻擋層的剖面圖。參照圖1，非連續復合阻擋層包括基板100、第一阻擋層102及第二阻擋層104。其中，第一阻擋層102位于基板100上，且第二阻擋層104位于第一阻擋層102上。如圖1所示，第一阻擋層102及第二阻擋層104皆包括間隔設置的多個無機材料區106及多個有機娃化合物(organo-siliconmaterial)區108,且無機材料區106與有機娃化合物區108上下交替堆疊。在一實施例中，基板100可為可撓式基板，例如聚對苯二甲二乙酯(PET)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚酰亞胺(PI)基板、或聚碳酸酯(PC)基板。在另一實施例中，基板100也可為剛性基板，例如玻璃基板，或其它適合的基板。無機材料區106例如包括三氧化二鋁(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅(SiCxOyNz ；x = 1-3、y = 1-3, z = 1-3)、或前述的組合。無機材料區106的寬度W1例如約介于0.5mm至20mm,高度H1例如約介于50nm至500nm。有機娃化合物108可以是含娃碳(S1-C)鍵合、或硅氧碳(S1-O-C)鍵合的有機化合物，含硅碳(S1-C)鍵合的有機化合物例如包括含S1-(CH3)鍵合、S1-(CH2)鍵合、S1-(CH)鍵合的有機硅化合物。有機硅化合物區108的寬度W2例如約介于0.5mm至20mm,高度H2例如約介于50nm至500nm。亦即，無機材料區106的寬度W1可小于有機硅化合物區108的寬度W2。應注意的是，無機材料區106及有機硅化合物區108的尺寸可依據應用的需求調整。例如，當非連續復合阻擋層用于可撓性元件時，可依據撓曲程度的需求決定無機材料區106及有機硅化合物區108的尺寸。一般而言，撓曲程度越高時，可形成寬度較小的無機材料區106，以避免無機材料區因撓曲而破碎。例如，無機材料區106的寬度可小于撓曲的曲率半徑。此外，如圖1所示，在一實施例中，上述非連續復合阻擋層的第一阻擋層102及第二阻擋層104的有機硅化合物區108相互連接呈一連續結構，而無機材料區106則彼此斷開呈一非連續結構。一般而言，連續的無機材料結構具有較好的阻水氣效果，但其硬度較大，故在用于可撓式元件時容易破裂而形成裂縫，使得水氣由裂縫進入元件中。然而，在圖1所示的非連續復合阻擋層中，無機材料區106交錯排列于非連續復合阻擋層內，因此不僅可阻擋水氣由主要表面滲入，也可防止由側邊入侵的水氣。此外，由于無機材料區106彼此斷開呈非連續結構，可避免連續的無機材料由于性質硬脆而破裂的問題。另外，相較于一般的有機材料，有機硅化合物區108具有較佳本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種非連續復合阻擋層，包括：一第一阻擋層，位于一基板上；以及一第二阻擋層，位于該第一阻擋層上，其中該第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機硅化合物(organo?silicon?material)區，且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區與所述有機硅化合物區上下交替堆疊。
【技術特征摘要】
2012.08.24 TW 1011307511.一種非連續復合阻擋層，包括: 一第一阻擋層，位于一基板上；以及 一第二阻擋層，位于該第一阻擋層上，其中該第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機娃化合物(organo-silicon material)區，且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區與所述有機硅化合物區上下交替堆疊。2.如權利要求1所述的非連續復合阻擋層，其中該第一、第二阻擋層的所述有機硅化合物區相互連接呈一連續結構，且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區彼此斷開呈一非連續結構。3.如權利要求1所述的非連續復合阻擋層，其中所述有機硅化合物區包括含硅碳(S1-C)鍵合、或硅氧碳(S1-O-C)鍵合的有機化合物。4.如權利要求1所述的非連續復合阻擋層，其中所述無機材料區包括三氧化二鋁(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅、或前述的組合。5.一種具有非連續復合阻擋層的封裝結構，包括: 一基板； 一電子元件，位于該基板上；以及 一非連續復合阻擋層，位于該電子元件上，其中該非連續復合阻擋層包括: 一第一阻擋層，位于該電子元件上；以及 一第二阻擋層，位于該第一阻擋層上`，其中該第一、第二阻擋層皆包括間隔設置的多個無機材料區及多個有機硅化合物區，且該第一、第二阻擋層的所述無機材料區與所述有機硅化合物區上下交替堆疊。6.如權利要求5所述的具有非連續復合阻擋層的封裝結構，其中該基板為可撓式基板，且該電子元件為可撓式電子元件。7.如權利要求6所述的具有非連續復合阻擋層的封裝結構，其中該電子元件包括有機發光元件(OLED)、電泳顯示器(Electro-phoretic display ;ΕΡ?)、或薄膜太陽能電池。8.如權利要求5所述的具有非連續復合阻擋層的封裝結構，其中所述有機硅化合物區包括含硅碳(S1-C)鍵合、或硅氧碳(S1-O-C)鍵合的有機化合物。9.如權利要求5所述的具有非連續復合阻擋層的封裝結構，其中所述無機材料區包括三氧化二鋁(Al2O3)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮碳氧化硅、或前述的組合。10.如權利要求6所述的具有非連續復合阻擋層的封裝結構，其中，該非連續復合阻擋層更設于該基板及該電子元件之間，使得該非連續復合阻擋層完全包附該電子元件。11.一種非連續復合阻擋層的形成方法，包括: 提供一基板； 在該基板上形成一第一阻擋層；以及 在該第一阻擋層上形成一第二阻擋層，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳俊廷，賴豐文，林昆蔚，王登彥，
申請(專利權)人：財團法人工業技術研究院，
類型：發明
國別省市：
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