一種真空遠區等離子體處理裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及一種真空遠區等離子體處理裝置，包括反應腔、電極組件、等離子發生器和負壓設備，反應腔包括放電腔和用于材料表面活化反應的處理腔，放電腔設置于處理腔上方并與處理腔連通，放電腔頂部設置有氣體入口，處理腔底部設置有氣體出口，電極組件設置于放電腔外表面，等離子發生器與電極組件電連接，負壓設備與氣體出口連接。本發明專利技術中負壓設備將放電腔和處理腔中抽真空，等離子發生器驅動電極組件生成電場，反應氣體從氣體入口進入經過放電腔電離后進入處理腔中對材料表面進行活化反應，本實施例中材料遠離電場環境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，處理腔不受放電腔空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術涉及一種真空遠區等離子體處理裝置，包括反應腔、電極組件、等離子發生器和負壓設備，反應腔包括放電腔和用于材料表面活化反應的處理腔，放電腔設置于處理腔上方并與處理腔連通，放電腔頂部設置有氣體入口，處理腔底部設置有氣體出口，電極組件設置于放電腔外表面，等離子發生器與電極組件電連接，負壓設備與氣體出口連接。本專利技術中負壓設備將放電腔和處理腔中抽真空，等離子發生器驅動電極組件生成電場，反應氣體從氣體入口進入經過放電腔電離后進入處理腔中對材料表面進行活化反應，本實施例中材料遠離電場環境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，處理腔不受放電腔空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便。【專利說明】—種真空遠區等離子體處理裝置
本專利技術屬于等離子體處理裝置領域，具體的說是涉及一種真空遠區等離子體處理裝直。
技術介紹
等離子體是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產生的正負電子組成的離子化氣體狀物質，它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質存在的第四態。目前，等離子體裝置一般的是在密封容器中設置兩個電極形成電場，用真空泵實現一定的真空度，隨著氣體愈來愈稀薄，分子間距及分子或離子的自由運動距離也愈來愈長，受電場作用，他們發生碰撞而形成離子體，這些離子的活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學鍵，在任何暴露的材料表面引起化學反應，從而使材料表面的結構、成分和基團發生變化，得到滿足實際要求的表面。等離子體反應速度快、處理效率高，而且改性僅發生在材料表面，對材料內部本體材料的性能沒有影響，是理想的表面改性手段?，F有技術中，材料都是放置在電場中進行活化處理，但是對于非絕緣性的材料在電場中容易受到電場的影響使其導通破壞材料內部本體材料的性能，另一方面，受電場空間區域的限制對材料的面積也有一定的限制。因此，亟需一種適用于非絕緣性能材料的真空等離子體處理裝置。
技術實現思路
本專利技術的目的是克服現有技術存在的缺陷，提供一種真空遠區等離子體處理裝置。實現本專利技術目的的技術方案是:一種真空遠區等離子體處理裝置，包括反應腔、電極組件、等離子發生器和負壓設備，所述反應腔包括放電腔和用于材料表面活化反應的處理腔，所述放電腔設置于所述處理腔上方并與所述處理腔連通，所述放電腔頂部設置有氣體入口，所述處理腔底部設置有氣體出口，所述電極組件設置于所述放電腔外表面，所述等離子發生器與所述電極組件電連接，所述負壓設備與所述氣體出口連接。進一步的，所述電極組件為立體螺旋狀電極。進一步的，所述電極組件為一對對稱設置的環狀電極。進一步的，所述等離子發生器包括用于調節所述電極組件功率的電源和與所述電源連接的匹配器，所述匹配器還與所述電極組件電連接。進一步的，所述負壓設備為真空泵。進一步的，所述真空泵與所述氣體出口之間還設置有過濾器。本專利技術具有積極的效果:本專利技術中負壓設備將放電腔和處理腔中抽真空，等離子發生器驅動電極組件生成電場，反應氣體從氣體入口進入經過放電腔電離后進入處理腔中對材料表面進行活化反應，本實施例中材料遠離電場環境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，另一方面，處理腔不受放電腔空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便?！緦＠綀D】【附圖說明】為了使本專利技術的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本專利技術作進一步詳細的說明，其中: 圖1為本專利技術第一實施例的結構示意圖； 圖2為本專利技術第二實施例的結構示意圖。其中:1、氣體出口，2、處理腔，3、電極組件，4、放電腔，5、氣體入口，6、匹配器，7、電源，8、過濾器，9、真空泵。【具體實施方式】實施例1 如圖1所示，作為第一優選實施例，本實施例提供一種真空遠區等離子體處理裝置，包括反應腔、電極組件3、等離子發生器(圖中未示出)和負壓設備，反應腔包括放電腔4和用于材料表面活化反應的處理腔2，放電腔4設置于處理腔2上方并與處理腔2連通，放電腔4頂部設置有氣體入口 5，處理腔2底部設置有氣體出口 1，電極組件3為一對對稱設置的環狀電極，電極組件3設置于放電腔4外表面，等離子發生器與電極組件3電連接，負壓設備與氣體出口 I連接。本實施例中材料放置在處理腔2中，負壓設備將放電腔4和處理腔2中抽真空，等離子發生器驅動電極組件3生成電場，反應氣體從氣體入口 5進入經過放電腔4電離后進入處理腔2中對材料表面進行活化反應，本實施例中材料遠離電場環境，適用于絕緣材料和非絕緣材料，滿足各種材料的處理需求，另一方面，處理腔2不受放電腔4空間的限制，可滿足不同面積的材料處理，更加方便。實施例2 如圖2所示，作為第二優選實施例，其余與實施例1相同，不同之處在于，本實施例提供的電極組件3為立體螺旋狀電極，等離子發生器包括用于調節電極組件3功率的電源7和與電源7連接的匹配器6，匹配器6還與電極組件3電連接，負壓設備為真空泵9，真空泵9與氣體出口 I之間還設置有過濾器8。本實施例中，電極組件3為立體螺旋狀電極生成電場空間大，電源7可根據需要調節電場強度，從而實現不同的處理效果。以上所述的具體實施例，對本專利技術的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本專利技術的具體實施例而已，并不用于限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內?！緳嗬蟆?.一種真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，包括反應腔、電極組件、等離子發生器和負壓設備，所述反應腔包括放電腔和用于材料表面活化反應的處理腔，所述放電腔設置于所述處理腔上方并與所述處理腔連通，所述放電腔頂部設置有氣體入口，所述處理腔底部設置有氣體出口，所述電極組件設置于所述放電腔外表面，所述等離子發生器與所述電極組件電連接，所述負壓設備與所述氣體出口連接。2.根據權利要求1所述的真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，所述電極組件為立體螺旋狀電極。3.根據權利要求1所述的真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，所述電極組件為一對對稱設置的環狀電極。4.根據權利要求2或3所述的真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子發生器包括用于調節所述電極組件功率的電源和與所述電源連接的匹配器，所述匹配器還與所述電極組件電連接。5.根據權利要求4所述的真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，所述負壓設備為真空泵。6.根據權利要求1所述的真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，所述真空泵與所述氣體出口之間還設置有過濾器?！疚臋n編號】H01J37/32GK103681199SQ201310667716【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月11日 優先權日:2013年12月11日 【專利技術者】沈文凱, 王紅衛 申請人:蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種真空遠區等離子體處理裝置，其特征在于，包括反應腔、電極組件、等離子發生器和負壓設備，所述反應腔包括放電腔和用于材料表面活化反應的處理腔，所述放電腔設置于所述處理腔上方并與所述處理腔連通，所述放電腔頂部設置有氣體入口，所述處理腔底部設置有氣體出口，所述電極組件設置于所述放電腔外表面，所述等離子發生器與所述電極組件電連接，所述負壓設備與所述氣體出口連接。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：沈文凱，王紅衛，
申請(專利權)人：蘇州市奧普斯等離子體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32