發(fā)光裝置及其制作方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術公開一種發(fā)光裝置及其制作方法。發(fā)光裝置包括一外延結構、一反射層、一第一保護層以及一阻障層。反射層設置于外延結構上。第一保護層設置于反射層及外延結構上，并至少覆蓋于反射層的一側壁。阻障層設置于第一保護層及外延結構上，并完全覆蓋第一保護層，阻障層之上具有一第一電極。本發(fā)明專利技術也公開一種發(fā)光裝置的制造方法。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開一種。發(fā)光裝置包括一外延結構、一反射層、一第一保護層以及一阻障層。反射層設置于外延結構上。第一保護層設置于反射層及外延結構上，并至少覆蓋于反射層的一側壁。阻障層設置于第一保護層及外延結構上，并完全覆蓋第一保護層，阻障層之上具有一第一電極。本專利技術也公開一種發(fā)光裝置的制造方法。【專利說明】
本專利技術涉及一種，特別是涉及一種發(fā)光二極管。
技術介紹
發(fā)光二極管是一種由半導體材料制作而成的發(fā)光元件，具有耗電量低、元件壽命長、反應速度快等優(yōu)點，再加上體積小容易制成極小或陣列式元件的特性，因此近年來隨著技術不斷地進步，其應用范圍也由指示燈、背光源甚至擴大到了照明領域。請參照圖1所示，其為現(xiàn)有一種發(fā)光裝置I的剖視示意圖。于此，發(fā)光裝置I為一倒裝(Flip-chip)結構發(fā)光二極管，且圖1以向下發(fā)光為例。發(fā)光裝置I包括一外延基板11、一外延結構12、一反射層13、一保護層14、一阻障層15以及一絕緣層16。另外，發(fā)光裝置I還可包括一第一電極Pl及一第二電極P2。外延結構12設置于外延基板11上，而反射層13設置于外延結構12上。外延結構12具有一 n-GaN層121、一多重量子阱層122及一 ρ-GaN層123。反射層13通常為一高反射率的金屬材料，以反射發(fā)光裝置I所發(fā)出的光線，以提高發(fā)光裝置I的出光效率。另夕卜，保護層14設置于反射層13的一頂面132上，而阻障層15設置于保護層14之上，并覆蓋保護層14及反射層13。其中，保護層14可保護反射層13，避免后續(xù)制作工藝損傷到反射層13而導致反射率下降。另外，阻障層15可保護反射層13，避免反射層13因后續(xù)制作工藝或元件操作時產生的擴散或劣化等問題。此外，絕緣層16設置于阻障層15上，而第一電極Pl及第二電極P2分別設置于阻障層15及n-GaN層121上，并分別露出于絕緣層16。其中，第一電極Pl通過阻障層15、保護層14及反射層13與外延結構12的ρ-GaN層123電連接，而第二電極P2與外延結構12的n-GaN層121電連接。通過供電給第一電極Pl及第二電極P2，并通過反射層13的光線反射，可使發(fā)光裝置I發(fā)出向下的光線。然而，現(xiàn)有的發(fā)光裝置I的結構中，雖然有保護層14可保護反射層13的頂面132，但卻無法保護反射層13的一側壁131，使得后續(xù)制作工藝中的化學藥品或高溫仍然會造成反射層13的側壁131產生損傷或裂縫，導致反射率下降而使得發(fā)光裝置I的良率不佳等問題。另外，于反射層13的制作工藝中，反射層13的側壁131上也常會出現(xiàn)金屬絲的問題，導致后續(xù)制作工藝的阻障層15及絕緣層16的覆蓋不佳而造成發(fā)光裝置I的良率降低。因此，如何提供一種，可改善反射層側壁外露的問題，使反射層不因后續(xù)制作工藝的化學藥品或高溫而造成反射率降低，導致發(fā)光裝置的良率降低，是業(yè)者一直努力的目標。
技術實現(xiàn)思路
有鑒于上述課題，本專利技術的目的在于提供一種，可改善反射層側壁外露的問題，使反射層不因后續(xù)制作工藝的化學藥品或高溫而造成反射率降低，導致發(fā)光裝置的良率降低。為達上述的目的，本專利技術提供一種一種發(fā)光裝置包括一外延結構、一反射層、一第一保護層以及一阻障層。反射層設置于外延結構上。第一保護層設置于反射層及外延結構上，并至少覆蓋于反射層的一側壁。阻障層設置于第一保護層及外延結構上，并完全覆蓋第一保護層，阻障層之上具有一第一電極。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置更包括一外延基板，外延結構、反射層、第一保護層及阻障層設置于外延基板之上。在本專利技術的一較佳實施例中，外延結構具有一第一半導體層、一有源層及一第二半導體層，有源層夾置于第一半導體層及第二半導體層之間。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置還包括一第二保護層，其設置于反射層的一頂面，并夾置于第一保護層與反射層之間。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置還包括一絕緣層，其設置于阻障層及外延結構上。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置還包括一第二電極，其設置于外延結構的一第一半導體層上，第一電極與第二電極位于外延基板的同一側。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置還包括一接合層，其設置于阻障層上。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置還包括一導熱基板，其設置于接合層上，導熱基板為第一電極。在本專利技術的一較佳實施例中，發(fā)光裝置還包括一電極層，其設置于外延結構遠離反射層的一表面上。在本專利技術的一較佳實施例中，反射層的材質包含銀、鋁、金、鈦、鉻、鎳、銦錫氧化物，或其組合。在本專利技術的一較佳實施例中，第一保護層的材質包含鎳、鈦、鎢，或其組合。在本專利技術的一較佳實施例中，導熱基板的材質包含硅、銅、鋁、銅錳合金，或其組入口 ο為達上述的目的，本專利技術提供一種發(fā)光裝置制造方法包括形成一外延結構于一外延基板上；形成一反射層于外延結構上；形成一第一保護層于反射層及外延結構上，其中第一保護層至少覆蓋于反射層的一側壁；以及形成一阻障層于第一保護層及外延結構上，其中阻障層完全覆蓋第一保護層。在本專利技術的一較佳實施例中，制作方法還包括形成一第二保護層于反射層的一頂面，并夾置于第一保護層與反射層之間。在本專利技術的一較佳實施例中，制作方法還包括形成一絕緣層于阻障層及外延結構上。在本專利技術的一較佳實施例中，制作方法還包括形成一第一電極于阻障層之上；以及形成一第二電極于外延結構的一第一半導體層上，其中第一電極與第二電極位于外延基板的同一側。在本專利技術的一較佳實施例中，制作方法還包括形成一第一接合層于阻障層上；形成一第二接合層于一導熱基板上；及通過第一接合層及第二接合層接合導熱基板于阻障層之上。在本專利技術的一較佳實施例中，制作方法還包括移除外延基板。在本專利技術的一較佳實施例中，制作方法還包括形成一電極層于外延結構遠離反射層的一表面上。在本專利技術的一較佳實施例中，反射層經過蒸鍍或濺鍍沉積以及合金制作工藝，以形成于外延結構上。在本專利技術的一較佳實施例中，第一保護層經過蒸鍍或濺鍍沉積，并通過蝕刻或浮離制作工藝形成于反射層及外延結構上。在本專利技術的一較佳實施例中，阻障層經過蒸鍍或濺鍍沉積，并通過浮離制作工藝形成于第一保護層及外延結構上。承上所述，因依據(jù)本專利技術的發(fā)光裝置及制作方法中，反射層設置于外延結構上，第一保護層設置于反射層及外延結構上，并至少覆蓋于反射層的一側壁，而阻障層設置于第一保護層及外延結構上，并完全覆蓋第一保護層，且阻障層之上具有一第一電極。由此，與現(xiàn)有相較，本專利技術的第一保護層至少覆蓋于反射層的一側壁，除了可避免發(fā)光裝置因后續(xù)制作工藝所使用的化學藥品或高溫制作工藝損傷到反射層的側壁而造成反射率降低，導致發(fā)光裝置的良率降低之外，還可改善反射層出現(xiàn)金屬絲而導致后續(xù)制作工藝的阻障層及絕緣層的覆蓋不佳等問題。【專利附圖】【附圖說明】 圖1為現(xiàn)有一種發(fā)光裝置的剖視示意圖；圖2A為本專利技術較佳實施例的一種發(fā)光裝置的剖視示意圖；圖2B為本專利技術另一實施態(tài)樣的發(fā)光裝置的剖視示意圖；圖2C為本專利技術另一較佳實施例的一種發(fā)光裝置的剖視示意圖；圖3A為本專利技術較佳實施例的一種發(fā)光裝置制造方法的流程圖；圖3B為本專利技術較佳實施例的一種發(fā)光裝置制造方法的另一流程圖；圖3C為本專利技術另一較佳實施例的一種發(fā)光裝置制造方法的流程圖；圖4A至圖4F分別為本專利技術較佳實施例的一種發(fā)光裝置的制作過程示意圖；以及圖5A至圖5C分別為本專利技術另一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種發(fā)光裝置，包括：外延結構；反射層，設置于該外延結構上；第一保護層，設置于該反射層及該外延結構上，并至少覆蓋于該反射層的一側壁；以及阻障層，設置于該第一保護層及該外延結構上，并完全覆蓋該第一保護層，該阻障層之上具有第一電極。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：陳彥瑋，朱長信，余國輝，莊文宏，
申請(專利權)人：奇力光電科技股份有限公司， 佛山市奇明光電有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：臺灣;71