一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構及工藝方法技術

本發明專利技術涉及一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構及工藝方法，其特征在于所述結構包括金屬基板框，在所述金屬基板框內部設置有基島和引腳，所述基島和引腳的正面與金屬基板框正面齊平，所述引腳的背面與金屬基板框的背面齊平，所述基島背面與引腳的臺階面齊平，所述引腳的臺階面上設置有金屬層，所述基島的背面通過導電或不導電粘結物質設置有芯片，所述芯片的正面與引腳的臺階面上的金屬層表面之間用金屬線相連接，所述基島、引腳以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述塑封料與金屬基板框的上下表面齊平,在所述基島正面、引腳的正面和背面以及金屬基板框的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑（OSP）。本發明專利技術的有益效果是：它能夠解決傳統金屬引線框的板厚之中無法埋入物件而限制金屬引線框的功能性和應用。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術涉及一種，其特征在于所述結構包括金屬基板框，在所述金屬基板框內部設置有基島和引腳，所述基島和引腳的正面與金屬基板框正面齊平，所述引腳的背面與金屬基板框的背面齊平，所述基島背面與引腳的臺階面齊平，所述引腳的臺階面上設置有金屬層，所述基島的背面通過導電或不導電粘結物質設置有芯片，所述芯片的正面與引腳的臺階面上的金屬層表面之間用金屬線相連接，所述基島、引腳以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述塑封料與金屬基板框的上下表面齊平,在所述基島正面、引腳的正面和背面以及金屬基板框的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑（OSP）。本專利技術的有益效果是：它能夠解決傳統金屬引線框的板厚之中無法埋入物件而限制金屬引線框的功能性和應用。【專利說明】
本專利技術涉及一種。屬于半導體封裝
。
技術介紹
傳統的四面扁平無引腳金屬引線框結構主要有兩種:一種是四面扁平無引腳封裝(QFN)引線框，這種結構的引線框由銅材金屬框架與耐高溫膠膜組成(如圖15所示)。一種是預包封四面扁平無引腳封裝(pQFN)引線框，這種結構的引線框結構包括引腳與基島，引腳與基島之間的蝕刻區域填充有塑封料(如圖16所示)。上述傳統金屬引線框存在以下缺點:1、傳統金屬引線框作為裝載芯片的封裝載體，本身不具備系統功能，從而限制了傳統金屬引線框封裝后的集成功能性與應用性能；2、由于傳統金屬引線框本身不具備系統功能，只能在引線框正面進行芯片及組件的平鋪或者堆疊封裝。而功率器件與控制芯片封裝在同一封裝體內，功率器件的散熱會影響控制芯片信號的傳輸；3、由于傳統金屬引線框本身不具備系統功能，所以多功能系統集成模塊只能在傳統金屬引線框正面通過多芯片及組件的平鋪或堆疊而實現，相應地也就增大元器件模塊在PCB上所占用的空間。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服上述不足，提供一種，它能夠解決傳統金屬引線框缺乏系統功能的問題。本專利技術的目的是這樣實現的:一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構的工藝方法，所述方法包括如下步驟:步驟一、取金屬基板步驟二、貼光阻膜作業在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜利用曝光顯影設備將步驟二完成貼光阻膜作業的金屬基板表面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；步驟四、化學蝕刻在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區域內進行化學蝕刻；步驟五、去除光阻膜去除金屬基板表面的光阻膜；步驟六、貼光阻膜作業在金屬基板的表面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜利用曝光顯影設備將步驟六完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的區域圖形；步驟八、電鍍金屬線路層在步驟七的金屬基板背面進行金屬線路層的電鍍工作，金屬線路層電鍍完成后即依據圖形在金屬基板上形成相應的基島和引腳；步驟九、去除光阻膜去除金屬基板表面的光阻膜；步驟十、裝片在步驟八的基島正面通過導電或不導電粘結物質植入芯片；步驟十一、金屬線鍵合在芯片正面與引腳金屬鍍層面之間進行鍵合金屬線作業；步驟十二、包封對步驟十一的金屬基板內部采用塑封料進行塑封，塑封料與金屬基板的正面和背面均齊平；步驟十三、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑(OSP)在完成步驟十二后的金屬基板表面裸露在外的金屬進行電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑(OSP)。—種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構，它包括金屬基板框，在所述金屬基板框內部設置有基島和引腳，所述引腳呈臺階狀，所述基島和引腳的正面與金屬基板框正面齊平，所述引腳的背面與金屬基板框的背面齊平，所述基島背面與引腳的臺階面齊平，所述引腳的臺階面上設置有金屬層，所述基島的背面通過導電或不導電粘結物質設置有芯片，所述芯片的正面與引腳的臺階面上的金屬層表面之間用金屬線相連接，所述基島外圍的區域、基島和引腳之間的區域、引腳與引腳之間的區域、基島和引腳上部的區域、基島和引腳下部的區域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述塑封料與金屬基板框的上下表面齊平，在所述基島正面、引腳的正面和背面以及金屬基板框的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑(0SP)。所述芯片與基島背面之間設置有金屬層。與現有技術相比，本專利技術具有以下有益效果:1、金屬框減法技術框架的夾層可以因為系統與功能的需要而在需要的位置或是區域內埋入主動元件或是組件或是被動的組件，成為一個單層線路系統級的金屬引線框架。2、從金屬減法技術框架成品的外觀完全看不出來內部夾層已埋入了因系統或是功能需要的對象，尤其是硅材芯片的埋入連X光都無法檢視，充分達到系統與功能的隱密性及保護性。3、金屬減法技術框架的夾層在制作過程中可以埋入高功率器件，二次封裝再進行控制芯片的裝片，從而高功率器件與控制芯片分別裝在金屬減法引線框兩側，可以避免高功率器件因熱輻射而干擾控制芯片的信號傳輸。4、金屬減法技術框架本身內含埋入對象的功能，二次封裝后可以充分實現系統功能的集成與整合，從而同樣功能的元器件模塊的體積尺寸要比傳統引線框封裝的模塊來的小，相應在PCB上所占用的空間也就比較少，從而也就降低了成本。5、金屬減法技術框架的夾層在制作過程中可以因為導熱或是散熱需要而在需要的位置或是區域內埋入導熱或是散熱對象，從而改善整個封裝結構的散熱效果。6、金屬減法技術框架成品本身就富含了各種的組件，如果不再進行后續第二次封裝的情況下，將復合式金屬引線框架依照每一格單元切開，本身就可成為一個超薄的封裝體或是簡易型系統級封裝體。7、金屬減法技術框架除了本身內含對象的埋入功能之外還可以在封裝體外圍再疊加不同的單元封裝或是系統級封裝，充分達到單層線路金屬引線框架的雙系統或是多系統級的封裝技術能力。8、金屬減法技術引線框架內所埋入的物件或對象均與金屬框厚度齊平，充分的體現出超薄與高密度的填充在金屬減法技術引線框內的厚度空間之中。【專利附圖】【附圖說明】圖廣圖13為本專利技術一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構的工藝方法的各工序示意圖。圖14為本專利技術一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構的示意圖。圖15為傳統四面扁平無引腳封裝(QFN)引線框結構的示意圖。圖16為預包封四面扁平無引腳封裝(pQFN)引線框結構的示意圖。其中:金屬基板框1基島2引腳3導電或不導電粘結物質4芯片5金屬線6塑封料7抗氧化層或被覆抗氧化劑8金屬層9。【具體實施方式】本專利技術一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構的工藝方法如下:步驟一、取金屬基板參見圖1，取一片厚度合適的金屬基板，此板材的材質主要是以金屬材料為主，而金屬材料的材質可以是銅材、鐵材、鍍鋅材、不銹鋼材、鋁材或可以達到導電功能的金屬物質或非全金屬物質等，而厚度的選擇可依據產品特性進行選擇。步驟二、貼光阻膜作業參見圖2，在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜，以保護后續的蝕刻工藝作業，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜。步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜參見圖3，利用曝光顯影設備將步驟二完成貼光阻膜作業的金屬基板表面(正面和背面)進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板表面后續需要進行蝕刻的區域圖形。步驟四、化學蝕刻參見圖4，在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝平腳結構的工藝方法，所述方法包括如下步驟：步驟一、取金屬基板步驟二、貼光阻膜作業在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜利用曝光顯影設備將步驟二完成貼光阻膜作業的金屬基板表面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；步驟四、化學蝕刻在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區域內進行化學蝕刻；步驟五、去除光阻膜去除金屬基板表面的光阻膜；步驟六、貼光阻膜作業在金屬基板的表面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜利用曝光顯影設備將步驟六完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的區域圖形；步驟八、電鍍金屬線路層在步驟七的金屬基板背面進行金屬線路層的電鍍工作，金屬線路層電鍍完成后即依據圖形在金屬基板上形成相應的基島和引腳；步驟九、去除光阻膜去除金屬基板表面的光阻膜；步驟十、裝片在步驟八的基島正面通過導電或不導電粘結物質植入芯片；步驟十一、金屬線鍵合在芯片正面與引腳背面之間進行鍵合金屬線作業；步驟十二、包封對步驟十一的金屬基板內部采用塑封料進行塑封，塑封料與金屬基板的正面和背面均齊平；步驟十三、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑（OSP）在完成步驟十二后的金屬基板表面裸露在外的金屬進行電鍍抗氧化金屬層（OSP）。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：梁志忠，梁新夫，王亞琴，
申請(專利權)人：江蘇長電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32