一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器制造技術

本發明專利技術涉及一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體以及設置于殼體內部的電荷感應電極，用于感應半導體表面產生的微弱光生電荷；紅外激發二極管，用于發光照射到半導體表面；絕緣定位件，電荷感應電極設置于絕緣定位件上；殼體內還密封有絕緣填料。本發明專利技術利用紅外激發二極管激發半導體表面誘發產生微弱的光生電荷，電荷感應電極采集到光生電荷并生成相應的電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發二極管在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術涉及一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體以及設置于殼體內部的電荷感應電極，用于感應半導體表面產生的微弱光生電荷；紅外激發二極管，用于發光照射到半導體表面；絕緣定位件，電荷感應電極設置于絕緣定位件上；殼體內還密封有絕緣填料。本專利技術利用紅外激發二極管激發半導體表面誘發產生微弱的光生電荷，電荷感應電極采集到光生電荷并生成相應的電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發二極管在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。【專利說明】一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器
本專利技術涉及半導體測試領域，尤其涉及一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器。
技術介紹
由于半導體具有摻雜性可控導電特性的物理效應，使其具有熱敏性、光敏性、磁敏性、及電子放大、突變能力等特點，因此在非電量電測信息電子技術、電子光學成像技術、通信、固體信息儲存器等具有很高的實用價值。不同電學類型的半導體材料具有不同的載流子特性，在應用中也有不同需求。現有檢測半導體材料的P、N類型大多使用接觸式冷熱探針法，極易損傷半導體材料以致造成隱性缺陷。因此，亟需一種非接觸的測試半導體P、N類型的傳感器。
技術實現思路
本專利技術的目的是克服現有技術存在的缺陷，提供一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器。實現本專利技術目的的技術方案是:一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體以及設置于所述殼體內部的以下機構:電荷感應電極，所述電荷感應電極上開設有透光孔并設置有一個電極引線，所述電極引線一端延伸出所述殼體外，用于采集下述光生電荷并生成相應的電壓信號； 紅外激發二極管，所述紅外激發二極管設置于所述透光孔中并設置有兩個紅外激發二極管引線，所述紅外激發二極管引線焊接端延伸出所述殼體外，用于激發半導體產生微弱的光生電荷； 絕緣定位件，所述電荷感應電極設置于所述絕緣定位件上； 所述殼體內還密封有絕緣填料。進一步的，所述殼體為中空圓柱體。進一步的，所述殼體為不銹鋼中空圓柱體。進一步的，所述電荷感應電極為圓環狀。進一步的，所述電荷感應電極的透光孔直徑為4?6mm。進一步的，所述絕緣定位件為聚四氟乙烯圓柱體。進一步的，所述絕緣填料為環氧樹脂或硅膠。進一步的,還包括與所述殼體連接的接地弓I線。本專利技術具有積極的效果:本專利技術利用紅外激發二極管激發半導體表面誘發產生微弱的光生電荷，電荷感應電極采集到光生電荷并生成相應的電壓信號,根據N型半導體為電子型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極生成一個脈動正電壓信號，而P型半導體為空穴型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極生成一個脈動負電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發二極管在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。【專利附圖】【附圖說明】為了使本專利技術的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本專利技術作進一步詳細的說明，其中:圖1為本專利技術的結構示意圖。其中:1、殼體，2、絕緣定位件，3、電荷感應電極，4、紅外激發二極管，5、絕緣填料，6、電極引線，7、紅外激發二極管引線，8、接地引線。【具體實施方式】實施例1 如圖1所示，本專利技術第一優選實施例提供一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，包括殼體I以及設置于殼體I內部的以下機構:電荷感應電極3,電荷感應電極3上開設有透光孔(圖中未示出)并設置有一個電極引線6，電極引線6 —端延伸出殼體I外，用于采集光生電荷并生成相應的電壓信號； 紅外激發二極管4，紅外激發二極管4設置于透光孔中并設置有兩個紅外激發二極管引線7，紅外激發二極管引線7焊接端延伸出殼體I外，用于激發半導體產生微弱的光生電荷； 絕緣定位件2,電荷感應電極3設置于所述絕緣定位件2上； 殼體I內還密封有絕緣填料5。本實施例利用紅外激發二極管4脈動激發半導體表面誘發產生微弱的光生電荷，電荷感應電極3采集到光生電荷并生成相應的電壓信號，根據N型半導體為電子型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極3生成一個脈動正電壓信號，而P型半導體為空穴型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極3生成一個脈動負電壓信號，從而分別出半導體的P、N類型，采用紅外激發二極管4在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。實施例2 作為第二優選實施例，其余與實施例1相同，不同之處在于，本實施例提供的殼體I為不銹鋼中空圓柱體，結構剛度好，電荷感應電極3為圓環狀，電荷感應電極3的透光孔直徑為4?6mm,本實施例優選5mm,絕緣定位件2為聚四氟乙烯圓柱體,溫度系數小,適應各種溫度環境，絕緣填料5為環氧樹脂或硅膠，具體不作限定，本實施例還包括與殼體I連接的接地引線8。以上所述的具體實施例，對本專利技術的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本專利技術的具體實施例而已，并不用于限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。【權利要求】1.一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，包括殼體以及設置于所述殼體內部的以下機構:電荷感應電極，所述電荷感應電極上開設有透光孔并設置有一個電極引線，所述電極引線一端延伸出所述殼體外，用于采集下述光生電荷并生成相應的電壓信號; 紅外激發二極管，所述紅外激發二極管設置于所述透光孔中并設置有兩個紅外激發二極管引線，所述紅外激發二極管引線焊接端延伸出所述殼體外，用于通電發光激發半導體產生微弱的光生電荷； 絕緣定位件，所述電荷感應電極設置于所述絕緣定位件上； 所述殼體內還密封有絕緣填料。2.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述殼體為中空圓柱體。3.根據權利要求2所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于,所述殼體為不銹鋼中空圓柱體。4.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述電荷感應電極為圓環狀。5.根據權利要求4所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述電荷感應電極的透光孔直徑為4?6mm。6.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述絕緣定位件為聚四氟乙烯圓柱體。7.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述絕緣填料為環氧樹脂或硅膠。8.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，還包括與所述殼體連接的接地引線。【文檔編號】G01R31/26GK103675640SQ201310698619【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月19日 優先權日:2013年12月19日 【專利技術者】趙丹, 顏友鈞, 鄭鈺 申請人:江蘇瑞新科技股份有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，包括殼體以及設置于所述殼體內部的以下機構：電荷感應電極，所述電荷感應電極上開設有透光孔并設置有一個電極引線，所述電極引線一端延伸出所述殼體外，用于采集下述光生電荷并生成相應的電壓信號；紅外激發二極管，所述紅外激發二極管設置于所述透光孔中并設置有兩個紅外激發二極管引線，所述紅外激發二極管引線焊接端延伸出所述殼體外，用于通電發光激發半導體產生微弱的光生電荷；絕緣定位件，所述電荷感應電極設置于所述絕緣定位件上；所述殼體內還密封有絕緣填料。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙丹，顏友鈞，鄭鈺，
申請(專利權)人：江蘇瑞新科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32