在一面或兩面上具有有機-無機雜化材料層的絕緣膜被覆金屬箔，所述有機-無機雜化材料層含有二甲基硅氧烷和包含Si以外的金屬的金屬氧烷。沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向從該層的表面算起的1/4t深度處的Si的濃度［Si］1/4t，相對于沿該雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的3/4t深度處的Si的濃度［Si］3/4t，為［Si］1/4t＜［Si］3/4t，（［Si］3/4t-［Si］1/4t）/［Si］3/4t為0.02～0.23。提供金屬箔，其可適用于太陽能電池基板或撓性電路基板等，具有絕緣性、耐熱性、柔軟性、表面平坦性，且在搬送或轉裝等的對基板操作的過程中，在該層的表面難以留下傷痕。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】絕緣膜被覆金屬箱
本專利技術涉及用包含有機.無機雜化材料的絕緣膜實施了被覆的絕緣膜被覆金屬箔。本專利技術的絕緣膜被覆金屬箔可以合適地用于例如薄膜晶體管(TFT)、有機EL顯示器、電子紙等電子裝置的微細部件的安裝。
技術介紹
二氧化硅(SiO2)膜為無機氧化物，因此耐熱性、電絕緣性等優異，可容易地得到平坦的膜，從而在各種領域中用作電絕緣膜。另外，二氧化硅膜一般利用PVD (物理氣相沉積Physical Vapor Deposition)、CVD (化學氣相沉積 Chemical Vapor Deposition)等的氣相法、和溶膠.凝膠法等的液相法制作。伴隨著近年來對于電子裝置.電子部件配置的要求的提高，在它們中使用的電場強度也有變大的傾向。這樣對于電場強度變大這樣的裝置或電子部件配置，需要更高的絕緣性，因此在將二氧化硅膜作為絕緣膜時，需要進而使該二氧化硅膜變厚。但是，在上述的氣相法、液相法等任意的制作方法中，難以形成二氧化硅厚膜，通常對于Iym以上的膜厚，發生裂紋的傾向變強。認為其原因是構成膜的“二氧化硅”本身的楊氏模量高，從而對于成膜時產生的由與基板材料的熱膨脹系數差導致的內部應力、或由膜自身的收縮產生的內部應力，膜很難追隨變化而使應力緩和。另外，在以電子紙為代表這樣的、可變形至彎曲等的電子裝置中，對于柔軟性低的(即，楊氏模量高)二氧化硅絕緣膜，難以追隨上述變形，因此認為對于可進行這樣的變形的電子裝置，二氧化硅絕緣膜一般是不合適的。作為上述這樣的問題的解決方法，在非專利文獻I或2中，提出了在二氧化硅的硅氧烷骨架中引入了有機基團的有機修飾硅酸鹽膜。其公開了對于稱為有機?無機雜化材料(無機.有機雜化材料)、有機改性娃化合物(Ormosils)、陶瓷體(Ceramers)等的材料的膜，在硅氧烷骨架中引入甲基等的有機基團時，硅氧烷骨架的剛直性緩和，楊氏模量變低，由此即使為I μ m以上的膜厚，也能夠不產生裂紋而進行成膜。在專利文獻I中，公開了利用將有機烷氧基硅烷RxSi (0R’)4_x (其中，R為有機基團，0R’為烷氧基。X為1、2、或3)作為原料、通過水解.縮聚反應而形成在硅氧烷骨架中引入了有機基團R的結構的方法(一般稱為“溶膠.凝膠法”)來制作這樣的有機修飾硅酸鹽膜；即使在硅氧烷骨架中引入了有機基團R的結構中，具有在Si上鍵合了 2個有機基團的二有機硅氧烷-O-Si (R)2-O-的結構進而具有柔軟性，對于上述目的更為優選，特別地，上述二有機硅氧烷的有機基團R為甲基的二甲基硅氧烷-O-Si (CH3)2-O-的柔軟性更為優異，耐熱性也優異；作為含有二甲基硅氧烷的結構，有將聚二甲基硅氧烷X- [-Si (CH3)2-O]m-Si (CH3)2-X (其中，X為反應性官能團，m為聚二甲基硅氧烷的單元數。)作為起始原料、使其與金屬醇鹽M (OR)n (η為烷氧基的數目，通常為M的價數)的原料一起反應而得到的結構，特別地，上述聚二甲基硅氧烷的質均分子量Mw為900以上時，I μ m以上的厚膜制作變得容易，能夠容易地得到具有可追隨基板的變形的柔軟性的絕緣膜。在專利文獻2中，作為與上述有機修飾硅酸鹽類似的物質，公開了作為耐熱絕緣電線的絕緣被覆層的、由聚二甲基硅氧烷等的鏈狀硅氧烷低聚物、金屬醇鹽、和無機填充劑形成的硅氧烷樹脂組合物。在專利文獻3中，出于作為薄膜太陽能電池基板而使其集光效率提高的目的，作為形成在表面形成了凹凸結構的絕緣膜的方法，公開了在由聚二甲基硅氧烷和金屬醇鹽形成的膜中產生的利用了疏水相與親水相的相分離的表面凹凸結構的形成。在專利文獻4中，公開了用由聚(二有機)硅氧烷和金屬醇鹽形成的絕緣被膜使表面平坦的內容。公開了下述主旨:上述絕緣被膜是平坦性優異的膜，因此可以適合用作薄膜晶體管、液晶顯示器、有機EL顯示器、電子紙等的電子裝置中使用的膜厚度厚的絕緣膜的被覆基材。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2003-247078號公報專利文獻2:日本特開平5-239359號公報專利文獻3:日本特開2005-79405號公報專利文獻4:日本特開2008-255242號公報非專利文獻:非專利文獻1:作花済夫著「'/> - 斤法O科學」了 彳、承風社(作花濟夫著“溶膠-凝膠法的科學” 7夕'' +承風社)(1990)ρ.115-153非專利文獻2:作花済夫著「'/> - 法O応用」7 彳、承風社(作花濟夫著“溶膠-凝膠法的應用” 7 V +承風社)(1997) p.57-115
技術實現思路
專利技術欲解決的課題但是，專利文獻I至4中公開的施加了有機-無機雜化材料層的金屬箔存在以下這樣的問題。通過調整與二甲基硅氧烷交聯而使其硬化的金屬醇鹽的配合，可以控制有機-無機雜化材料層的柔軟性的程度，但上述有機-無機雜化材料層過于柔軟時，表面容易留下傷痕，在該基板的搬送或轉裝等的工序中有機-無機雜化材料層留下傷痕，有時形成產出次品的原因，如果為了使表面上難以留下傷痕而使該層變硬，則在成膜時產生裂紋，不能得到平坦、絕緣性優異的膜，或在將基板彎曲時在該層上產生裂紋。因此，僅僅調整成分，難以兼顧柔軟性和表面硬度。本專利技術提供一種金屬箔，其具有絕緣性、耐熱性、表面平坦性、而且具有柔軟性，且在對基板進行操作的過程(例如搬送或轉裝等)中，難以在其表面留下傷痕，具有有機-無機雜化材料層。用于解決課題的手段本專利技術人等進行了努力研究，結果發現:為了保持絕緣性、耐熱性、柔軟性、表面平坦性這樣的、對于可變形至彎曲等的電子裝置所需要的特性，同時在施加于金屬箔上的有機-無機雜化材料層的表面上難以留有傷痕，極其有效的作法是使該有機-無機雜化材料層為將聚二甲基硅氧烷和金屬醇鹽配合而成的層，所述金屬醇鹽通過具有選自Mg、Ca、Y、Al、Sn、T1、Zr、Nb、Ta、W中的I種以上而成，進而對上述有機-無機雜化材料層的厚度方向上的Si的濃度[Si]賦予特定的傾斜，在從金屬箔側向該層的表面的方向上使Si的濃度減少，從而完成了本專利技術。本專利技術的主旨如以下所述。〔I〕一種絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其是具有有機-無機雜化材料層的絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其特征在于，將配合有聚二甲基硅氧烷和金屬醇鹽的液體進行涂布，所述金屬醇鹽具有選自Mg、Ca、Y、Al、Sn、T1、Zr、Nb、Ta、W 中的 I 種以上的金屬，在70°C以上且210°C以下進行干燥， 以30~80°C /min的升溫速度升溫，在250~600°C保持30~240分鐘，[0031 ] 由此沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的l/4t深度處的Si的濃度[Si]1/4t，相對于沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的3/4t深度處的Si的濃度[Si] 3/4t具有以下的關系，[Si]1/4t < [Si]3/4t且上述Si濃度的相對比、Rsi= [Si]3/4t- [Si] 1/4t/ [Si] 3/4t的值為0.02以上且.0.23以下。[2]根據[I]所述的絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其特征在于，~2,與仏/1(|,具有以下的關系，1.0XA1/2t < Al7l0t < 2.0XAl72t其中，所述A1/2t是沿上述有機本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其是具有有機?無機雜化材料層的絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其特征在于，將配合有聚二甲基硅氧烷和金屬醇鹽的液體進行涂布，所述金屬醇鹽具有選自Mg、Ca、Y、Al、Sn、Ti、Zr、Nb、Ta、W中的1種以上的金屬，在70℃以上且210℃以下進行干燥，以30～80℃/min的升溫速度升溫，在250～600℃保持30～240分鐘，由此沿上述有機?無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的1/4t深度處的Si的濃度［Si］1/4t，相對于沿上述有機?無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的3/4t深度處的Si的濃度［Si］3/4t具有以下的關系，［Si］1/4t＜［Si］3/4t且上述Si濃度的相對比、RSi＝［Si］3/4t?［Si］1/4t/［Si］3/4t的值為0.02以上且0.23以下。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2011.07.20 JP 2011-1591841.一種絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其是具有有機-無機雜化材料層的絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其特征在于， 將配合有聚二甲基硅氧烷和金屬醇鹽的液體進行涂布，所述金屬醇鹽具有選自Mg、Ca、Y、Al、Sn、T1、Zr、Nb、Ta、W中的I種以上的金屬， 在70°C以上且210°C以下進行干燥， 以30~80°C /min的升溫速度升溫，在250~600°C保持30~240分鐘， 由此沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的l/4t深度處的Si的濃度[Si] 1/4t，相對于沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的.3/4t深度處的Si的濃度[Si] 3/4t具有以下的關系，[Si] 1/4t< [si]3/4t 且上述Si濃度的相對比、Rsi = [Si]3/4t- [Si]1/4t/ [Si]3/4t的值為0.02以上且0.23以下。2.根據權利要求1所述的絕緣膜被覆金屬箔的制造方法，其特征在于，Al72t與Avitlt具有以下的關系，.1.0XAl72t < Al7l0t <2.0XAl72t 其中，所述A1/2t是沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的l/2t深度處的Si的濃度[Si]1/2t與包含Si以外的金屬元素的金屬氧烷的金屬元素M的濃度[M] 1/2t 之比，即，A1/2t = [Μ] 1/2t/ [Si] 1/2t， 所述Avitlt是沿上述有機-無機雜化材料層的厚度方向、從該層的表面算起的l/10t深度處的Si的濃度[Si] 1/10t與金...
【專利技術屬性】
技術研發人員：小倉豐史，山田紀子，久保祐治，伊藤左和子，
申請(專利權)人：新日鐵住金高新材料株式會社，
類型：
國別省市：
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