一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術(shù)公開了一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有氧化物薄膜晶體管溝道長度過大，影響薄膜晶體管性能的問題。本實用新型專利技術(shù)中薄膜晶體管包括有源層，覆蓋于所述有源層之上的刻蝕阻擋層，以及位于所述刻蝕阻擋層之上的源電極和漏電極，所述刻蝕阻擋層具有一過孔，所述過孔側(cè)壁暴露刻蝕阻擋層側(cè)斷面，所述過孔底面暴露有源層表面；源電極和漏電極分別覆蓋過孔暴露的刻蝕阻擋層不同部分的側(cè)斷面，并且源電極覆蓋過孔底面暴露的有源層的第一表面區(qū)域，漏電極覆蓋過孔底面暴露的有源層的第二表面區(qū)域，第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域之間不重疊。通過本實用新型專利技術(shù)減小了薄膜晶體管的溝道長度，提高了薄膜晶體管的性能。（*該技術(shù)在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本技術(shù)公開了一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有氧化物薄膜晶體管溝道長度過大，影響薄膜晶體管性能的問題。本技術(shù)中薄膜晶體管包括有源層，覆蓋于所述有源層之上的刻蝕阻擋層，以及位于所述刻蝕阻擋層之上的源電極和漏電極，所述刻蝕阻擋層具有一過孔，所述過孔側(cè)壁暴露刻蝕阻擋層側(cè)斷面，所述過孔底面暴露有源層表面；源電極和漏電極分別覆蓋過孔暴露的刻蝕阻擋層不同部分的側(cè)斷面，并且源電極覆蓋過孔底面暴露的有源層的第一表面區(qū)域，漏電極覆蓋過孔底面暴露的有源層的第二表面區(qū)域，第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域之間不重疊。通過本技術(shù)減小了薄膜晶體管的溝道長度，提高了薄膜晶體管的性能。【專利說明】—種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置
本技術(shù)涉及薄膜晶體管顯示
，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。
技術(shù)介紹
氧化物薄膜晶體管由于具有較高的電子遷移率，并且制作工藝相對簡單，其已成為顯示領(lǐng)域的主流產(chǎn)品。氧化物薄膜晶體管在制作過程中，為了補償氧化物半導體的不穩(wěn)定性，通常在有源層上形成刻蝕阻擋層，并且在刻蝕阻擋層上形成兩個圓形過孔，以實現(xiàn)薄膜晶體管源電極與漏電極的電性接觸。具體的，如圖1A所示為現(xiàn)有氧化物薄膜晶體管在圖1B中AA’方向上的剖面示意圖，包括柵極10，柵極絕緣層11，有源層12，刻蝕阻擋層13，以及形成在刻蝕阻擋層13之上的源電極14和漏電極15，其中刻蝕阻擋層13上設(shè)置有兩個相對的圓形過孔131，薄膜晶體管的源電極14和漏電極15分別通過這兩個圓形過孔131與有源層12接觸導通，兩個圓形過孔131間的距離決定薄膜晶體管的溝道長度，圓形過孔131的直徑?jīng)Q定薄膜晶體管的溝道寬度。通常在刻蝕阻擋層13上形成圓形過孔131時，需要設(shè)置兩個圓形過孔131之間的間距，并且兩個圓形過孔之間的間距需要滿足曝光工藝所要求的解像力以及源漏極配線之間的覆蓋公差，目前應用在大面積平板顯示工藝中的曝光機解像力一般在4微米左右，圓形過孔與源漏極配線之間的覆蓋公差各為3微米左右，故現(xiàn)有的氧化物薄膜晶體管中薄膜晶體管溝道長度需要設(shè)置在10微米左右，如圖1B所示。薄膜晶體管的溝道長度影響薄膜晶體管的開啟電流，溝道長度越小薄膜晶體管的開啟電流就越大，然而現(xiàn)有的氧化物薄膜晶體管中薄膜晶體管溝道長度與溝道長度約為4微米的多晶硅薄膜晶體管相比，約為2.5倍，使薄膜晶體管的開啟電流減小，嚴重降低了薄膜晶體管的性能，故如何減小氧化物薄膜晶體管中溝道長度，是氧化物薄膜晶體管技術(shù)研究所要解決的問題之一。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是提供一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有氧化物薄膜晶體管溝道長度過大，影響薄膜晶體管性能的問題。本技術(shù)的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:本技術(shù)一方面提供一種薄膜晶體管，包括有源層，覆蓋于所述有源層之上的刻蝕阻擋層，以及位于所述刻蝕阻擋層之上的源電極和漏電極，所述刻蝕阻擋層具有一過孔，所述過孔側(cè)壁暴露刻蝕阻擋層側(cè)斷面，所述過孔底面暴露有源層表面；所述源電極覆蓋所述過孔側(cè)壁暴露的所述刻蝕阻擋層的第一側(cè)斷面、以及所述過孔底面暴露的所述有源層的第一表面區(qū)域；所述漏電極覆蓋所述過孔側(cè)壁暴露的所述刻蝕阻擋層的第二側(cè)斷面、以及所述過孔底面暴露的所述有源層的第二表面區(qū)域；所述第一側(cè)斷面與所述第二側(cè)斷面不重疊，所述第一表面區(qū)域與所述第二表面區(qū)域不重疊。本技術(shù)提供的薄膜晶體管，在刻蝕阻擋層上形成一個過孔，源電極和漏電極共享該過孔并實現(xiàn)與有源層的覆蓋連接，形成的溝道長度無需再考慮源漏極配線與過孔之間的覆蓋公差，能夠減小溝道的長度，進一步能夠提高薄膜晶體管的開啟電流，提高薄膜晶體管的整體性能。進一步的，本技術(shù)實施例中所述有源層具有一容置空間，所述容置空間位于有源層被所述過孔底面暴露、且未被所述源電極和所述漏電極覆蓋的部分，能夠避免被暴露的有源層被污染，以提升薄膜晶體管的特性。所述過孔底面暴露的，且未被所述源電極和所述漏電極覆蓋的有源層為絕緣體，能夠避免被暴露的有源層被污染，以提升薄膜晶體管的特性。更進一步的，本技術(shù)中所述過孔在平行于所述有源層表面方向上的截面圖形為橢圓形，以更好的實現(xiàn)源電極和漏電極不接觸，并實現(xiàn)二者分別與有源層的覆蓋連接。所述過孔在平行于所述有源層表面方向上的截面圖形為長條形，以更好的實現(xiàn)源電極和漏電極不接觸，并實現(xiàn)二者分別與有源層的覆蓋連接。本技術(shù)另一方面提供了一種陣列基板，該陣列基板包括上述薄膜晶體管，源電極和漏電極共享一個過孔并實現(xiàn)與有源層的覆蓋連接，形成的溝道長度無需再考慮源漏極配線與過孔之間的覆蓋公差，能夠減小溝道的長度，進一步能夠提高薄膜晶體管的開啟電流，提高薄膜晶體管的整體性能。本技術(shù)再一方面還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板，源電極和漏電極共享一個過孔并實現(xiàn)與有源層的覆蓋連接，形成的溝道長度無需再考慮源漏極配線與過孔之間的覆蓋公差，能夠減小溝道的長度，進一步能夠提高薄膜晶體管的開啟電流，提高薄膜晶體管的整體性能。【專利附圖】【附圖說明】圖1A為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的剖面示意圖；圖1B為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管溝道長度示意圖；圖2A為本技術(shù)實施例提供的薄膜晶體管剖面示意圖；圖2B為本技術(shù)實施例提供的薄膜晶體管又一剖面示意圖；圖3為本技術(shù)實施例提供的薄膜晶體管溝道長度示意圖；圖4A-圖4B為本技術(shù)實施例提供的又一薄膜晶體管示意圖；圖5A-圖5B為本技術(shù)實施例提供的再一薄膜晶體管示意圖；圖6為本技術(shù)實施例提供的薄膜晶體管制作流程圖。【具體實施方式】下面將結(jié)合本技術(shù)實施例中的附圖，對本技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術(shù)一部分實施例，并不是全部的實施例。基于本技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術(shù)保護的范圍。實施例一本技術(shù)實施例一提供一種薄膜晶體管，如圖2A所示，包括柵極1，柵極絕緣層2，有源層3，刻蝕阻擋層4，其中刻蝕阻擋層4上具有一過孔7，過孔7的側(cè)壁暴露刻蝕阻擋層4的側(cè)斷面，過孔7的底面暴露有源層3的表面。具體的，本技術(shù)實施例中在刻蝕阻擋層4之上形成有源電極5和漏電極6，源電極5覆蓋過孔7側(cè)壁暴露的刻蝕阻擋層4的第一側(cè)斷面、以及過孔7底面暴露的有源層3的第一表面區(qū)域；漏電極6覆蓋過孔7側(cè)壁暴露的刻蝕阻擋層4的第二側(cè)斷面、以及過孔7底面暴露的有源層3的第二表面區(qū)域；其中，第一側(cè)斷面與第二側(cè)斷面不重疊，第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域不重疊，如圖2B所示，圖2B為圖3中AA’方向上的剖面示意圖。進一步的，本技術(shù)實施例中刻蝕阻擋層4上形成有一個過孔7，源電極5和漏電極6分別覆蓋過孔7暴露的刻蝕阻擋層4不同部分的側(cè)斷面，并且源電極5覆蓋過孔7底面暴露的有源層3的第一表面區(qū)域，即源電極5通過過孔7與有源層3實現(xiàn)了連接，漏電極6覆蓋過孔7底面暴露的有源層3的第二表面區(qū)域，即漏電極6通過過孔7與有源層3實現(xiàn)了連接，并且第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域之間不重疊，第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域之間的距離即為薄膜晶體管的溝道長度，如圖3所示，換言之，源電極5和漏電極6通過共享同一個過孔7實現(xiàn)與有源層3的連本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種薄膜晶體管，其特征在于，包括有源層，覆蓋于所述有源層之上的刻蝕阻擋層，以及位于所述刻蝕阻擋層之上的源電極和漏電極，其中，所述刻蝕阻擋層具有一過孔，所述過孔側(cè)壁暴露刻蝕阻擋層側(cè)斷面，所述過孔底面暴露有源層表面；所述源電極覆蓋所述過孔側(cè)壁暴露的所述刻蝕阻擋層的第一側(cè)斷面、以及所述過孔底面暴露的所述有源層的第一表面區(qū)域；所述漏電極覆蓋所述過孔側(cè)壁暴露的所述刻蝕阻擋層的第二側(cè)斷面、以及所述過孔底面暴露的所述有源層的第二表面區(qū)域；所述第一側(cè)斷面與所述第二側(cè)斷面不重疊，所述第一表面區(qū)域與所述第二表面區(qū)域不重疊。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭在紋，崔仁哲，崔星花，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司， 重慶京東方光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11