薄膜晶體管、TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置，解決了了現(xiàn)有的底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)，容易發(fā)生柵極絕緣層被擊穿的問題。本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例提供的薄膜晶體管TFT，該TFT的源電極包括第一源電極部，該TFT的漏電極包括第一漏電極部，其中，第一源電極部和第一漏電極部與該TFT的有源層同層設(shè)置且分別位于該有源層的兩側(cè)，且該第一源電極部和該第一漏電極部分別與該有源層直接接觸。由于第一源電極部和第一漏電極部與柵電極之間不重疊或重疊區(qū)域很小，一般不會(huì)形成電容，因此，避免了由于源/漏電極上的電壓過大，或者源/漏電極上的靜電電荷聚集過多，而導(dǎo)致的柵極絕緣層被擊穿的現(xiàn)象。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置，解決了了現(xiàn)有的底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)，容易發(fā)生柵極絕緣層被擊穿的問題。本專利技術(shù)實(shí)施例提供的薄膜晶體管TFT，該TFT的源電極包括第一源電極部，該TFT的漏電極包括第一漏電極部，其中，第一源電極部和第一漏電極部與該TFT的有源層同層設(shè)置且分別位于該有源層的兩側(cè)，且該第一源電極部和該第一漏電極部分別與該有源層直接接觸。由于第一源電極部和第一漏電極部與柵電極之間不重疊或重疊區(qū)域很小，一般不會(huì)形成電容，因此，避免了由于源/漏電極上的電壓過大，或者源/漏電極上的靜電電荷聚集過多，而導(dǎo)致的柵極絕緣層被擊穿的現(xiàn)象。【專利說明】薄膜晶體管、TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置
本專利技術(shù)涉及顯示器的制造領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)、包含該薄膜晶體管的TFT陣列基板及其制造方法、以及包含該TFT陣列基板的顯示裝置。
技術(shù)介紹
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)顯示器具有自發(fā)光、廣視角、高對(duì)比度，薄型化，低功耗等優(yōu)點(diǎn)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一，已成為下一代平面顯示器技術(shù)的主流，應(yīng)用越來越廣泛。通常OLED顯示器為層疊式結(jié)構(gòu)，采用如小分子材料、聚合物或其他發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光化合物，作為有機(jī)發(fā)光層，放置于陰極和陽極之間。根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式不同，OLED顯示器可分為有源矩陣型(Active Matrix)和無源矩陣型。有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯示器通過陣列基板中的驅(qū)動(dòng)TFT，以電流方式驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光層發(fā)光。目前，底柵型AMOLED的TFT陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)參見圖1所示，包括:位于襯底基板al上的柵電極a2和存儲(chǔ)電容下電極a3 ；位于柵電極a2和存儲(chǔ)電容下電極a3上的柵極絕緣層a4 ；位于柵極絕緣層a4上且與柵電極a2的位置對(duì)應(yīng)的有源層a5 ；位于有源層a5上的刻蝕阻擋層a6，該刻蝕阻擋層a6中形成有兩個(gè)貫穿刻蝕阻擋層a6的ESL孔(刻蝕阻擋層孔)和一個(gè)貫穿刻蝕阻擋層a6和柵極絕緣層a4的過孔(ViaHole)，存儲(chǔ)電容的電極a3通過該過孔與該像素單元的驅(qū)動(dòng)TFT的柵線連接，以使該驅(qū)動(dòng)TFT開啟；位于刻蝕阻擋層a6上的源/漏電極a7，其中，源/漏電極a7分別通過ESL孔與有源層a5連接；以及，位于源/漏電極a7上的鈍化層a8，以及位于鈍化層a8上的存儲(chǔ)電容上電極a9。現(xiàn)有的底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)存在以下問題:源/漏電極與柵電極交疊的區(qū)域形成電容，源/漏電極上的電壓過大，或者源/漏電極上的靜電電荷聚集過多，都容易導(dǎo)致柵極絕緣層被擊穿，造成TFT陣列基板的報(bào)廢。綜上所述，現(xiàn)有的底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)，容易發(fā)生柵極絕緣層被擊穿的問題，造成TFT陣列基板的報(bào)廢。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管、TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置，解決了現(xiàn)有的底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)，容易發(fā)生柵極絕緣層被擊穿的問題。本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管TFT，其中:所述TFT的源電極包括第一源電極部，所述TFT的漏電極包括第一漏電極部，其中，所述第一源電極部和所述第一漏電極部與所述TFT的有源層同層設(shè)置且分別位于所述有源層的兩側(cè)，且所述第一源電極部和所述第一漏電極部分別與所述有源層直接接觸。本專利技術(shù)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，源電極的第一源電極部和漏電極的第一漏電極部與有源層同層設(shè)置且分別位于該有源層的兩側(cè)，且該第一源電極部和該第一漏電極部分別與該有源層直接接觸，由于第一源電極部和第一漏電極部與柵電極之間不重疊或重疊區(qū)域很小，一般不會(huì)形成電容，因此，避免了由于源/漏電極上的電壓過大，或者源/漏電極上的靜電電荷聚集過多，而導(dǎo)致的柵極絕緣層被擊穿的現(xiàn)象。在實(shí)施中，所述第一源電極部和所述第一漏電極部是采用與所述有源層相同的材料并通過導(dǎo)電化處理后得到的。具體的，所述有源層采用半導(dǎo)體薄膜材料，所述第一源電極部和所述第一漏電極部是由半導(dǎo)體薄膜材料經(jīng)過導(dǎo)電化處理后得到的。基于上述任一實(shí)施例，所述源電極還包括第二源電極部，所述漏電極還包括第二漏電極部，所述有源層與所述第二源電極部和所述第二漏電極部之間的刻蝕阻擋層中形成有兩個(gè)貫穿所述刻蝕阻擋層且分別位于所述第一源電極部和所述第一漏電極部上方的第一過孔；其中，所述第二源電極部通過位于所述第一有源部上方的第一過孔與所述第一源電極部連接，且所述第二漏電極部通過位于所述第一漏電極部上方的第一過孔與所述第一漏電極部連接。基于上述任一實(shí)施例，所述柵電極位于所述有源層下方(即底柵型TFT)，或者，所述柵電極位于所述有源層的上方(即頂柵型TFT)。本專利技術(shù)實(shí)施例還提供了一種TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括開關(guān)TFT，其中，所述開關(guān)TFT為上述任一所述的TFT。本專利技術(shù)實(shí)施例提供的TFT陣列基板的各像素單元中，源電極的第一源電極部和漏電極的第一漏電極部與有源層同層設(shè)置且分別位于該有源層的兩側(cè)，且該第一源電極部和該第一漏電極部分別與該有源層直接接觸，由于第一源電極部和第一漏電極部與柵電極之間不重疊或重疊區(qū)域很小，一般不會(huì)形成電容，因此，避免了由于源/漏電極上的電壓過大，或者源/漏電極上的靜電電荷聚集過多，而導(dǎo)致的柵極絕緣層被擊穿的現(xiàn)象，提高了TFT陣列基板的成品率。進(jìn)一步，若所述TFT陣列基板為有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器AMOLED陣列基板，則所述TFT陣列基板的每個(gè)像素單元還包括驅(qū)動(dòng)TFT，所述驅(qū)動(dòng)TFT為上述任一所述的TFT，其中:所述像素單元的刻蝕阻擋層中與所述像素單元的存儲(chǔ)電容下電極對(duì)應(yīng)的位置還形成有貫穿所述刻蝕阻擋層和所述像素單元的柵電極與有源層之間的柵極絕緣層的第二過孔，其中，所述存儲(chǔ)電容通過所述第二過孔連接所述像素單元的驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極，所述存儲(chǔ)電容下電極與所述柵電極位于同一層。進(jìn)一步，所述第二過孔中設(shè)置有與所述開關(guān)TFT的第二源電極部和第二漏電極部同層設(shè)置的連接金屬層，所述驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極通過所述連接金屬層與所述存儲(chǔ)電容連接。基于上述任一實(shí)施例，所述TFT陣列基板還包括像素電極，所述像素電極與所述開關(guān)TFT的第二漏電極部電連接。基于同一專利技術(shù)構(gòu)思，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供了顯示裝置，其中，該顯示裝置包括上述任一所述的TFT陣列基板。基于同一專利技術(shù)構(gòu)思，本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟:該TFT陣列基板中的有源層的制作方法包括:通過構(gòu)圖工藝，形成源電極的第一源電極部的圖形、漏電極的第一漏電極部的圖形以及有源層的圖形，其中，所述第一源電極部和所述第一漏電極部分別位于所述有源層的兩側(cè)且分別與所述有源層直接接觸； 對(duì)所述第一源電極部和所述第一漏電極部進(jìn)行導(dǎo)電化處理。采用本專利技術(shù)實(shí)施例提供的制造方法制得的TFT陣列基板的各像素單元中，源電極的第一源電極部和漏電極的第一漏電極部與有源層同層設(shè)置且分別位于該有源層的兩側(cè)，且該第一源電極部和該第一漏電極部分別與該有源層直接接觸，由于第一源電極部和第一漏電極部與柵電極之間不重疊或重疊區(qū)域很小，一般不會(huì)形成電容，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管TFT，其特征在于，所述TFT的源電極包括第一源電極部，所述TFT的漏電極包括第一漏電極部，其中，所述第一源電極部和所述第一漏電極部與所述TFT的有源層同層設(shè)置且分別位于所述有源層的兩側(cè)，且所述第一源電極部和所述第一漏電極部分別與所述有源層直接接觸。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王東方，劉威，陳海晶，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京;11