自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路制造技術(shù)

一種自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路，包括：變壓器、MOS管、限流電阻、輔助線圈、PNP型三極管及NPN型三極管，輔助線圈依次經(jīng)電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R1及電阻R101接地，MOS管的柵極連接基準(zhǔn)源芯片的陰極連接端，該基準(zhǔn)源芯片的陽極連接端接地，該基準(zhǔn)源芯片的基準(zhǔn)壓連接端連接至電阻R1和電阻R101的連接點(diǎn)上。通過加入電阻R1、電阻R101及基準(zhǔn)電壓源，可以很好的控制電壓輸入端的過壓點(diǎn)，在電壓輸入端出現(xiàn)浪涌電壓或異常高壓時能夠及時準(zhǔn)確地把MOS管的柵極電壓拉低，快速關(guān)斷電路的輸出，保護(hù)整個系統(tǒng)電路的正常工作。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】一種自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路，包括：變壓器、MOS管、限流電阻、輔助線圈、PNP型三極管及NPN型三極管，輔助線圈依次經(jīng)電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R1及電阻R101接地，MOS管的柵極連接基準(zhǔn)源芯片的陰極連接端，該基準(zhǔn)源芯片的陽極連接端接地，該基準(zhǔn)源芯片的基準(zhǔn)壓連接端連接至電阻R1和電阻R101的連接點(diǎn)上。通過加入電阻R1、電阻R101及基準(zhǔn)電壓源，可以很好的控制電壓輸入端的過壓點(diǎn)，在電壓輸入端出現(xiàn)浪涌電壓或異常高壓時能夠及時準(zhǔn)確地把MOS管的柵極電壓拉低，快速關(guān)斷電路的輸出，保護(hù)整個系統(tǒng)電路的正常工作。【專利說明】自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路
本技術(shù)涉及開關(guān)電源變換器
，具體涉及一種自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路。
技術(shù)介紹
自振蕩反激變換器包括耦合變壓器、場效應(yīng)管、振蕩晶極管，當(dāng)輸入電壓端加上電壓后，并產(chǎn)生自激振蕩工作后，電路會進(jìn)行反激。現(xiàn)有的自振蕩反激變換器在輸入電壓端的電壓較高時，尤其是電壓剛輸入的瞬間，在電壓輸入端上容易產(chǎn)生一個很大的瞬時電流尖峰，使晶體管瞬時導(dǎo)通，這一瞬時電流尖峰就有可能使晶體管被擊穿，同時加在管子上的過高電壓也會使晶體管損壞，也就會造成產(chǎn)品啟動不良的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)提供一種自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路，能夠解決上述問題。本技術(shù)實(shí)施例提供的一種自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路，包括:變壓器T1、M0S管及限流電阻R9，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過變壓器Tl的原邊線圈、MOS管的漏極和源極、限流電阻R9接地，變壓器Tl副邊線圈上的耦合能量依次經(jīng)過整流管D2及儲能濾波電容ClO向電壓輸出端Vo輸出，電壓輸入端Vin+還經(jīng)過一分壓電路向MOS管的柵極供電，還包括:與變壓器Tl耦合的輔助線圈T2、PNP型三極管Q2及NPN型三極管Q3，輔助線圈一端接地另一端依次經(jīng)一電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，MOS管柵極依次經(jīng)過一電阻R6、一電阻R7、NPN型三極管Q3的集電極和發(fā)射極接地，輔助線圈的所述另一端經(jīng)過一電容C5連接NPN型三極管Q3的基極，NPN型三極管Q3的基極通過一電阻R8連接MOS管的源極，PNP型三極管的發(fā)射極連接MOS管的柵極，PNP型三極管的集電極連接MOS管的源極，PNP型三極管Q2的基極連接在電阻R6和電阻R7的連接點(diǎn)上，MOS管的源極與NPN型三極管Q3之間連接一電容C6，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過一電阻Rl及一電阻RlOl接地，MOS管的柵極連接一基準(zhǔn)源芯片的陰極連接端，該基準(zhǔn)源芯片的陽極連接端接地，該基準(zhǔn)源芯片的基準(zhǔn)壓連接端連接至電阻Rl和電阻RlOl的連接點(diǎn)上。優(yōu)選地，電阻Rl上并聯(lián)一濾波電容ClOl。優(yōu)選地，所述分壓電路包括:依次串聯(lián)的電阻R2、電阻R3和電阻R4，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R2、電阻R3和電阻R4接地，電阻R3和電阻R4的連接點(diǎn)連接至MOS管的柵極。優(yōu)選地，電壓輸入端Vin+經(jīng)過一電容Cl接地。優(yōu)選地，儲能濾波電容ClO經(jīng)過一電感LI向電壓輸出端Vo輸出。優(yōu)選地,還包括一光稱反饋回路,光稱反饋回路檢測儲能濾波電容ClO上的電壓并反饋至NPN型三極管Q3的基極。上述技術(shù)方案可以看出，相對于現(xiàn)有的自振蕩反激變換器，本技術(shù)實(shí)施例中的自振蕩反激變換器能夠在輸入電壓端存在過高電壓時把MOS管的柵極電壓拉低，從而關(guān)斷電路輸出，有效的保證了電路安全工作，而且電路工作穩(wěn)定，可靠性高。【專利附圖】【附圖說明】為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是本技術(shù)實(shí)施例中電路原理圖。【具體實(shí)施方式】下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。實(shí)施例:本技術(shù)實(shí)施例提供一種自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路，如圖1所示，包括:變壓器T1、M0S管Ql及限流電阻R9，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過變壓器Tl的原邊線圈、MOS管Ql的漏極和源極、限流電阻R9接地，變壓器Tl副邊線圈上的耦合能量依次經(jīng)過整流管D2及儲能濾波電容ClO向電壓輸出端Vo輸出，電壓輸入端Vin+還經(jīng)過一分壓電路向MOS管的柵極供電，該自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路還包括:與變壓器Tl耦合的輔助線圈T2、PNP型三極管Q2及NPN型三極管Q3，輔助線圈T2 —端接地另一端依次經(jīng)一電容C3和電阻R5連接至MOS管Ql的柵極，MOS管Ql柵極依次經(jīng)過一電阻R6、一電阻R7、NPN型三極管Q3的集電極和發(fā)射極接地，輔助線圈T2的所述另一端經(jīng)過一電容C5連接NPN型三極管Q3的基極，NPN型三極管Q3的基極通過一電阻R8連接MOS管的源極，PNP型三極管的發(fā)射極連接MOS管的柵極，PNP型三極管的集電極連接MOS管的源極，PNP型三極管Q2的基極連接在電阻R6和電阻R7的連接點(diǎn)上，MOS管的源極與NPN型三極管Q3之間連接一電容C6，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過一電阻Rl及一電阻RlOl接地，MOS管的柵極連接一基準(zhǔn)源芯片的陰極連接端，該基準(zhǔn)源芯片的陽極連接端接地，該基準(zhǔn)源芯片的基準(zhǔn)壓連接端連接至電阻Rl和電阻RlOl的連接點(diǎn)上。為了增加本實(shí)施例電路的兼容性，NPN型三極管Q3的基極經(jīng)過一電阻RlO連接到一用于向開關(guān)電源提供反饋信號的的反饋控制端CTRL。為了進(jìn)一步對減少輸入端的干擾，本技術(shù)實(shí)施例中電阻Rl上并聯(lián)一濾波電容ClOl。電壓輸入端Vin+經(jīng)過一電容Cl接地，能夠更進(jìn)一步地減小輸入端引起的干擾。在MOS管Ql的柵極與PNP型三極管Q2的基極之間連接一電容C4。通過加入分壓電阻R1、分壓電阻R101、基準(zhǔn)電壓源IC2、以及抗擾電容C101，可以很好的控制電壓輸入端Vin+的過壓點(diǎn)，在電壓輸入端Vin+出現(xiàn)浪涌電壓或異常高壓時能夠及時準(zhǔn)確地把MOS管Ql的柵極電壓拉低，快速關(guān)斷電路的輸出，保護(hù)整個系統(tǒng)電路的正常工作。為了減小電路輸出信號的穩(wěn)定，減小干擾，儲能濾波電容ClO經(jīng)過一電感LI向電壓輸出端Vo輸出。本技術(shù)實(shí)施例中所述分壓電路包括:依次串聯(lián)的電阻R2、電阻R3和電阻R4，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過電阻R2、電阻R3和電阻R4接地，電阻R3和電阻R4的連接點(diǎn)連接至MOS管的柵極。電阻R3和電阻R4構(gòu)成的串聯(lián)支路的兩端并聯(lián)一電容C2，以減小干擾信號。本技術(shù)實(shí)施例中的自振蕩反激變換器還包括一光耦反饋回路，光耦反饋回路檢測儲能濾波電容ClO上的電壓并反饋至NPN型三極管Q3的基極。具體地，光耦反饋回路包括:光耦芯片U1、二極管D1、基準(zhǔn)源芯片IC1，其中光耦芯片Ul內(nèi)的光電二極管的陽極經(jīng)過一電阻Rl I連接到儲能濾波電容CIO上，用于檢本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
自振蕩反激變換器的高精度輸入過壓保護(hù)電路，包括：變壓器T1、MOS管及限流電阻R9，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過變壓器T1的原邊線圈、MOS管的漏極和源極、限流電阻R9接地，變壓器T1副邊線圈上的耦合能量依次經(jīng)過整流管D2及儲能濾波電容C10向電壓輸出端Vo輸出，電壓輸入端Vin+還經(jīng)過一分壓電路向MOS管的柵極供電，其特征在于，還包括：與變壓器T1耦合的輔助線圈T2、PNP型三極管Q2及NPN型三極管Q3，輔助線圈一端接地另一端依次經(jīng)一電容C3和電阻R5連接至MOS管的柵極，MOS管柵極依次經(jīng)過一電阻R6、一電阻R7、NPN型三極管Q3的集電極和發(fā)射極接地，輔助線圈的所述另一端經(jīng)過一電容C5連接NPN型三極管Q3的基極，NPN型三極管Q3的基極通過一電阻R8連接MOS管的源極，PNP型三極管的發(fā)射極連接MOS管的柵極，PNP型三極管的集電極連接MOS管的源極，PNP型三極管Q2的基極連接在電阻R6和電阻R7的連接點(diǎn)上，MOS管的源極與NPN型三極管Q3之間連接一電容C6，電壓輸入端Vin+依次經(jīng)過一電阻R1及一電阻R101接地，MOS管的柵極連接一基準(zhǔn)源芯片的陰極連接端，該基準(zhǔn)源芯片的陽極連接端接地，該基準(zhǔn)源芯片的基準(zhǔn)壓連接端連接至電阻R1和電阻R101的連接點(diǎn)上。...

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：薛濤，陳華聰，覃周，陳忠富，盧志飛，呂亞潮，
申請(專利權(quán))人：廣州市愛浦電子科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：