像素單元和陣列基板制造技術(shù)

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種像素單元和陣列基板，所述像素單元包括：若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開(kāi)口區(qū)；導(dǎo)電單元，其位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。從而降低了對(duì)開(kāi)口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，減小對(duì)開(kāi)口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開(kāi)口率，提升了顯示質(zhì)量。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專(zhuān)利摘要】本專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種像素單元和陣列基板，所述像素單元包括：若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開(kāi)口區(qū)；導(dǎo)電單元，其位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。從而降低了對(duì)開(kāi)口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，減小對(duì)開(kāi)口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開(kāi)口率，提升了顯示質(zhì)量。【專(zhuān)利說(shuō)明】像素單元和陣列基板
本專(zhuān)利技術(shù)涉及液晶顯示
，尤其是涉及一種像素單元和具有該像素單元的陣列基板。
技術(shù)介紹
薄膜晶體場(chǎng)效應(yīng)管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-1XD)技術(shù)，作為目前主流的顯示器制造技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用。隨著制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，液晶顯示器的分辨率也越來(lái)越高，從原來(lái)的非常普及的高清(1366x768)到全高清(1920x1080)，再到目前廣受消費(fèi)者歡迎的4K2K (3840x2160)電視，甚至接下來(lái)將會(huì)推出的8K4K (7680x4320)分辨率電視。液晶顯示器分辨率的提高意味著它的像素單元越來(lái)越小，設(shè)計(jì)和制造的難度越來(lái)越大，各種走線(xiàn)之間的距離會(huì)越來(lái)越小，從而導(dǎo)致各種各樣的問(wèn)題，像素暗紋就是其中之O 像素暗紋，是指像素單元中靠近過(guò)孔(Via hole)的開(kāi)口區(qū)，在液晶面板正常顯示時(shí)不能正常透光。如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元主(main)區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述像素單元包括若干像素電極和焊盤(pán)20，像素電極包括若干斜向延伸的斜向像素電極11和橫向延伸的橫向像素電極12，焊盤(pán)20覆蓋于過(guò)孔30上，像素電極靠近過(guò)孔30的地方為開(kāi)口區(qū)，由于像素單元較小，焊盤(pán)20進(jìn)入了開(kāi)口區(qū)并與斜向像素電極11的投影部分重合，從而焊盤(pán)20和橫向像素電極12等導(dǎo)電部件對(duì)斜向像素電極11的電場(chǎng)造成干擾。如圖1a所示，為利用Expert LCD軟體對(duì)像素單元主區(qū)的穿透率進(jìn)行模擬得到的模擬效果圖，圖中灰白色代表透光，黑色代表不透光，圓圈標(biāo)示處顯示開(kāi)口區(qū)出現(xiàn)了暗紋。如圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元子(sub)區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中進(jìn)入開(kāi)口區(qū)的為像素單元的公共電極40，該公共電極40與斜向像素電極11的投影部分重合，從而公共電極40和橫向像素電極12等導(dǎo)電部件對(duì)斜向像素電極11的電場(chǎng)造成了干擾。如圖2a所示，為利用Expert LCD軟體對(duì)像素單元子區(qū)的穿透率進(jìn)行模擬得到的模擬效果圖，圖中灰白色代表透光，黑色代表不透光，圓圈標(biāo)示處顯示開(kāi)口區(qū)出現(xiàn)了暗紋。因此，現(xiàn)技術(shù)中像素單元開(kāi)口區(qū)周邊電場(chǎng)會(huì)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)產(chǎn)生影響，使得開(kāi)口區(qū)產(chǎn)生了暗紋現(xiàn)象，暗紋的出現(xiàn)則直接導(dǎo)致像素的開(kāi)口率降低，導(dǎo)致面板的穿透率下降，另外還有可能導(dǎo)致沙沙狀姆拉等其他顯示問(wèn)題，降低了顯示質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)的主要目的在于提供一種像素單元和陣列基板，旨在降低對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，提升顯示質(zhì)量。為達(dá)以上目的，本專(zhuān)利技術(shù)提出一個(gè)總的專(zhuān)利技術(shù)構(gòu)思，即通過(guò)減小位于像素單元開(kāi)口區(qū)的非斜向像素電極的導(dǎo)電部件的面積，來(lái)降低對(duì)開(kāi)口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響，進(jìn)而減小對(duì)開(kāi)口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，從而改善像素暗紋現(xiàn)象，提高像素的開(kāi)口率，提升顯示質(zhì)量。其中，所述導(dǎo)電部件可以是位于開(kāi)口區(qū)并與斜向像素電極的投影部分重合的導(dǎo)電單元，或者是位于斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極。據(jù)此，本專(zhuān)利技術(shù)提出一種像素單元，包括:若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開(kāi)口區(qū)； 導(dǎo)電單元，其位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電單元為焊盤(pán)或公共電極。在像素單元主區(qū)時(shí)，所述焊盤(pán)位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，此時(shí)所述焊盤(pán)即為導(dǎo)電單元；在像素單元子區(qū)時(shí)，所述公共電極位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，此時(shí)所述公共電極即為導(dǎo)電單元。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電單元為焊盤(pán)，所述橫向像素電極與所述焊盤(pán)的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電單元為公共電極，所述像素單元還包括一靠近所述開(kāi)口區(qū)的焊盤(pán)，所述橫向像素電極與所述焊盤(pán)的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。優(yōu)選地，所述橫向像素電極位于所述開(kāi)口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。根據(jù)同樣的專(zhuān)利技術(shù)構(gòu)思，本專(zhuān)利技術(shù)還提出另一種像素單元，包括若干像素電極，該若干像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開(kāi)口區(qū)，所述橫向像素電極位于所述開(kāi)口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。優(yōu)選地，所述像素單元還包括一焊盤(pán)，該焊盤(pán)位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述焊盤(pán)靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。優(yōu)選地，所述像素單元還包括位于所述開(kāi)口區(qū)的公共電極和靠近所述開(kāi)口區(qū)的焊盤(pán)，所述公共電極與所述斜向像素電極的投影部分重合，且所述公共電極靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。優(yōu)選地，所述橫向像素電極與所述焊盤(pán)的投影部分重合，且所述橫向像素電極于二者投影銜接處向遠(yuǎn)離所述開(kāi)口區(qū)方向斜向延伸一支腳，所述支腳與所述斜向像素電極平行。本專(zhuān)利技術(shù)同時(shí)提出一種陣列基板，包括玻璃基板和配置于該玻璃基板上的像素單元，其中: 所述像素單元包括:若干像素電極，其包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開(kāi)口區(qū)；導(dǎo)電單元，其位于所述開(kāi)口區(qū)并與所述斜向像素電極的投影部分重合，所述導(dǎo)電單元靠近所述斜向像素電極的一角為缺角或圓角。或者，所述像素單元包括若干像素電極，該若干像素電極包括斜向延伸的斜向像素電極和位于所述斜向像素電極邊緣且橫向延伸的橫向像素電極，所述若干像素電極組成顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域具有一開(kāi)口區(qū)，所述橫向像素電極位于所述開(kāi)口區(qū)的部分在靠近所述斜向像素電極的一側(cè)具有一缺口。本專(zhuān)利技術(shù)所提供的一種像素單元，通過(guò)減小位于像素單元開(kāi)口區(qū)的非斜向像素電極的導(dǎo)電部件的面積，來(lái)降低對(duì)開(kāi)口區(qū)周邊電場(chǎng)對(duì)斜向像素電極電場(chǎng)的影響。具體來(lái)說(shuō)，對(duì)于像素單元主區(qū)，則通過(guò)減小焊盤(pán)或/和橫向像素電極的面積來(lái)降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響；對(duì)于像素單元子區(qū)，則通過(guò)減小公共電極或/和橫向像素電極的面積來(lái)降低對(duì)電極電場(chǎng)的影響。從而減小對(duì)開(kāi)口區(qū)液晶導(dǎo)向的影響，改善了像素暗紋現(xiàn)象，提高了像素的開(kāi)口率，提升了顯示質(zhì)量。【專(zhuān)利附圖】【附圖說(shuō)明】圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元主區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1a是圖1中的像素單元的穿透率的模擬效果圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元子區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a是圖2中的像素單元的穿透率的模擬效果圖；圖3是本專(zhuān)利技術(shù)的像素單元一實(shí)施例主區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a是圖3中的像素單元的穿透率的模擬效果圖本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：呂啟標(biāo)，姚曉慧，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：