一種改善硅片均勻度的系統(tǒng)技術方案

本發(fā)明專利技術公開了一種改善硅片均勻度的系統(tǒng)，通過將噴酸裝置改為水平設置，同時將制程盒旋轉方式改為圍繞噴酸裝置做上下翻轉運動，在進行濕法工藝的過程中，噴酸裝置向上噴射出霧化的酸性化學藥劑，制程盒環(huán)繞噴酸裝置做上下翻轉運動，使得制程盒內放置的各硅片更加均勻的與酸性藥劑發(fā)生反應，進而改善同一批次中硅片的均勻度，提升了生產工藝，同時在噴酸裝置設置的阻擋柱也很好保護了噴酸裝置，提高了生產的安全性。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了一種改善硅片均勻度的系統(tǒng)，通過將噴酸裝置改為水平設置，同時將制程盒旋轉方式改為圍繞噴酸裝置做上下翻轉運動，在進行濕法工藝的過程中，噴酸裝置向上噴射出霧化的酸性化學藥劑，制程盒環(huán)繞噴酸裝置做上下翻轉運動，使得制程盒內放置的各硅片更加均勻的與酸性藥劑發(fā)生反應，進而改善同一批次中硅片的均勻度，提升了生產工藝，同時在噴酸裝置設置的阻擋柱也很好保護了噴酸裝置，提高了生產的安全性。【專利說明】一種改善硅片均勻度的系統(tǒng)
本專利技術涉及半導體制備領域，確切的說，涉及一種提供改善硅片均勻度的系統(tǒng)。
技術介紹
隨著半導體器件工藝的發(fā)展以及按比例尺寸縮小，硅片的均勻度帶來了越來越大的影響。在某些硅片的處理工序中，需要采用濕法工藝對硅片進行處理，以去除硅片表面的薄膜或雜質。在通常情況下，同一批次的產品需要保證同樣的去除能力。但是在現有的濕法機臺，由于其特定的機臺構造，導致其去除硅片表面或雜質的能力有所差別，使得經過處理后的同一批次的硅片規(guī)格有所不同。在現有技術中，將硅片放置在制程盒中，然后將多個放置有硅片的制程盒置于一進行濕法工藝的腔體內，位于腔體內中心頂部垂直設置有一噴酸裝置1，且該噴酸裝置I的一側設置有一凹槽，在該凹槽內設置有噴灑濕法清洗氣體或液體的開口，在該反應腔室的底部設置有排氣裝置4。在進行濕法清洗時，機臺帶動制程盒圍繞噴酸裝置進行旋轉，噴酸裝置通過開口噴灑出霧化的化學液體對硅片進行濕法刻蝕，以去除其表面的NiPt薄膜及雜質，如圖1和圖2所示。但是本領域技術人員在實際操作中發(fā)現，制程盒上下位置處的硅片的刻蝕速率存在較大的差異，這是由于霧化的化學藥劑收到重力的作用會向下運動，并要經過腔室底部的排氣裝置進行排出，因此經過一段時間后，位于反應腔室內底部的化學藥劑的濃度要明顯高處頂部的要記濃度，造成制程盒下方放置硅片的受刻蝕程度要大于上方放置硅片的受刻蝕程度，從而造成了同一批次的硅片可能存在較大差異。
技術實現思路
本專利技術提供了一種改善硅片均勻度的系統(tǒng)，通過將傳統(tǒng)制程盒圍繞噴酸裝置做水平旋轉改為上下旋轉，以克服傳統(tǒng)工藝由于反應腔室底部化學劑濃度要大于應腔室上方的化學劑濃度，導致同一批次的硅片經過處理后可能存在較大差異。本專利技術采用的技術方案為:—種提高娃片均勻度的系統(tǒng)，在一反應腔室內對娃片進行處理，位于所述反應腔室內包括有制程盒和噴酸裝置，其中，所述制程盒圍繞所述噴酸裝置做上下旋轉運動，以改善硅片表面均勻度；其中，所述制程盒的旋轉方向與水平面相垂直。上述的提高硅片均勻度的統(tǒng)，其中，所述噴酸裝置為水平設置，且該噴酸裝置設置有開口，所述開口的開口端朝上。 上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述開口底部設置有噴酸孔，所述噴酸裝置通過所述噴酸孔向上噴射出霧化的化學藥劑，以去除所述硅片表面的薄膜或雜質。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述制程盒設置有多個插槽用于放置所述娃片。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述腔體底部設置有一排氣口。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，環(huán)繞所述噴酸裝置設置有多根阻擋柱，用于保護所述噴酸裝置。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述阻擋柱皆為水平設置。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述阻擋柱長度與所述噴酸裝置長度相同。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述阻擋柱通過一基座進行固定。上述的提高硅片均勻度的系統(tǒng)，其中，所述制程盒通過發(fā)動機帶動旋轉。由于本專利技術采用了以上技術方案，通過將噴酸裝置改為水平設置，制程盒以噴酸裝置為中心做上下旋轉，克服了傳統(tǒng)工藝中由于制程盒是圍繞噴酸裝置做水平方向的旋轉，在受到重力影響下導致制程盒上下位置處的硅片受處理程度可能存在較大不同的缺陷，改善了同一批次中硅片的均勻度。【專利附圖】【附圖說明】通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本專利技術及其特征、夕卜形和優(yōu)點將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點在于示出本專利技術的主旨。圖1為現有技術中進行濕法刻蝕的反應腔室的側視圖；圖2為現有技術中對硅片進行處理時的俯視圖；圖3為噴酸裝置的結構示意圖；圖4為本專利技術噴酸裝置與阻擋柱的結構示意圖圖；圖5為本專利技術對硅片進行處理時的側視圖。1:制程盒，2:噴酸裝置，3:阻擋柱，4:排氣裝置，5:基座。【具體實施方式】下面結合附圖對本專利技術的【具體實施方式】作進一步的說明:本專利技術提供了一種改善硅片均勻度的系統(tǒng)，在經過某些工藝后，硅片表面可能會形成薄膜或雜質，在進入下一工序前需要將硅片表面的薄膜或雜質進行去除，因此可采用本專利技術所提供的系統(tǒng)來對硅片進行處理，結合圖3-5所示。首先將硅片放置在制程盒中，制程盒自下而上設置有多個插槽用于放置硅片，利用機械手臂傳送裝置將硅片放置在制程盒中，然后再利用機械手臂將裝載有硅片的制程盒送入反應腔室內。在反應腔室內側壁中央設置有一噴酸裝置I,如附圖3所示,該噴酸裝置I為水平設置，在該噴酸裝置上設有開口，且該開口端朝上；在開口底部設置有噴酸孔，噴酸裝置I通過噴酸孔向上噴射出霧化的化學藥劑，以去除所述硅片表面的薄膜或雜質；其中，環(huán)繞噴酸裝置I外圍設置有多根阻擋柱3，阻擋柱3通過基座5進行固定，以環(huán)繞在噴酸裝置I的外圍，用于保護噴酸裝置I在旋轉過程中，硅片可能產生掉落進而對噴酸裝置I造成破壞，同時阻擋柱3長度與噴酸裝置2長度相同，保證了噴酸裝置I的開口長度較長，其底部的噴酸孔能夠更均勻的對腔室內的硅片進行刻蝕，提高了刻蝕的均勻性。在將制程盒放置在反應腔室內后，通過發(fā)動機(或馬達)帶動制程盒圍繞噴酸裝置I進行上下翻轉運動，在此同時，噴酸裝置I通過噴酸孔向上噴射出霧化的酸性化學藥劑，以去除硅片表面的薄膜(如NiPt薄膜)或雜質，旋轉方向如圖5所示。由于本專利技術將噴酸裝置I改為水平方向設置，并將傳統(tǒng)技術中制程盒圍繞噴酸裝置做水平旋轉改為上下翻轉，在進行濕法刻蝕過程中，噴酸裝置向上不斷噴射出霧化的酸性化學藥劑，對噴酸裝置上方的制程盒內的硅片進行處理，在此過程中，制程盒不斷圍繞噴酸裝置做上下翻轉運動，使得腔室內所有的制程盒上放置的硅片都能充分與霧化的化學藥劑接觸進而達到去除硅片表面薄膜或雜質的作用。進一步的，隨著工藝的進行，霧化的化學藥劑受到重力影響會逐漸在反應腔室底部沉積，并通過反應腔室底部的排氣裝置進行排出，進而造成腔室底部位置處霧化的藥劑濃度要大于頂部位置處的藥劑濃度。在傳統(tǒng)技術中，由于制程盒是在水平方向進行旋轉，因此制程盒內的各硅片始終位于同一高度處，使底部硅片處于濃度較大的化學藥劑環(huán)境中，而頂部硅片則處于濃度較小的化學藥劑環(huán)境中，因此上下不同位置處的硅片與酸性藥劑的反應程度有所不同，最終導致同一批次的硅片表面能的均勻度存在較大差異。而本專利技術通過重新設計反應腔室，改變制程盒的旋轉方式，使制程盒圍繞水平設置的噴酸裝置做上下翻轉運動，使得所有放置在制程盒上的硅片位置在水平方向上并不是一成不變的，隨著旋轉的不斷進行，各位置處的硅片的水平高度不斷發(fā)生改變，與反應腔室內各位置處的酸性藥劑發(fā)生反應，改善了同一批次中硅片的均勻度。同時，由于本專利技術改變了制程盒的旋轉方式，使制程盒圍繞噴酸裝置做上下翻轉運動，在制程盒初始旋轉過程中，由于轉速較慢，制程盒內的硅片可能會受到重力作用脫離制程盒，因此本專利技術在噴本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：佟金剛，李陽柏，張傳民，張旭升，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：