Ni納米線、NiO/Ni自支撐膜及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種Ni納米線、NiO/Ni自支撐膜及其制備方法和應(yīng)用。所述Ni納米線為平均長度50,000至200,000nm的超長納米線；其制備方法為：首先配置Ni納米線液相生長液；然后在外加磁場下制備Ni納米線單質(zhì)；最后分離純化Ni納米線。所述NiO/Ni自支撐膜包括所述Ni納米線及其煅燒制得的表面為NiO的Ni納米線；其制備方法為：首先將所述Ni納米線分散在表面活性劑溶液中；然后抽濾將Ni納米線轉(zhuǎn)移到微孔濾膜上，制得Ni自支撐膜；最后將Ni自支撐膜含氧氣氛下煅燒得到NiO/Ni自支撐膜。本發(fā)明專利技術(shù)提供的NiO/Ni自支撐膜，柔韌性和電化學(xué)性能良好，能作為超級(jí)電容活性材料，成本低，工藝簡單。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高義華，劉逆霜，馬文真，李建，
申請(專利權(quán))人：華中科技大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：