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本發(fā)明公開了一種晶片離子注入劑量控制方法，包括：離子束流(1)、晶片(2)、靶盤(3)、閉環(huán)法拉第杯(4)、X-Tilt電機(jī)(5)、靶臺(tái)(6)、氣浮軸承(7)、直線電機(jī)(8)、PMAC控制器(9)、真空靶室(10)。為減少粒子雜質(zhì)，離子注入...該專利屬于北京中科信電子裝備有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過北京中科信電子裝備有限公司授權(quán)不得商用。