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本發明公開了一種金屬互連結構的制造方法，包括步驟：提供一襯底并在襯底上生長或淀積一層介質層；進行光刻刻蝕形成接觸孔窗口；淀積第一層金屬薄膜；進行光刻刻蝕形成第一層金屬互連窗口；淀積第二層金屬薄膜；進行光刻刻蝕形成第二層金屬互連窗口，第二層金...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種金屬互連結構的制造方法，包括步驟：提供一襯底并在襯底上生長或淀積一層介質層；進行光刻刻蝕形成接觸孔窗口；淀積第一層金屬薄膜；進行光刻刻蝕形成第一層金屬互連窗口；淀積第二層金屬薄膜；進行光刻刻蝕形成第二層金屬互連窗口，第二層金...