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通過沿著已被形成為位于較遠離源極(220)及漏極(222)處的側壁結構(236)的內側形成高k柵極電介質(226)來減小具有金屬柵極(230)及所述高k柵極電介質(226)的MOS晶體管(200)的柵極到源極與柵極到漏極重疊電容。...
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