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本發明提供一種氧化物半導體薄膜晶體管，包括基板、形成于基板上的柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏極層以及鈍化層，所述源漏極層包括所述氧化物半導體薄膜晶體管的源極和漏極，所述柵極絕緣層的內部或與有源層相鄰的柵極絕緣層的表層含有阻止氫與有源層中的...該專利屬于昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司授權不得商用。