溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種高阻片式薄膜電阻及其制備方法，所述方法包括以下步驟：(1)將印刷有阻擋層或掩膜層的基片，安裝于雙離子濺射鍍膜機上，裝入高阻CrSi靶材，開啟雙離子濺射鍍膜機；(2)當本底真空度達到5.0×10-4Pa～2.0×10-3Pa，...該專利屬于中國振華集團云科電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中國振華集團云科電子有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種高阻片式薄膜電阻及其制備方法，所述方法包括以下步驟：(1)將印刷有阻擋層或掩膜層的基片，安裝于雙離子濺射鍍膜機上，裝入高阻CrSi靶材，開啟雙離子濺射鍍膜機；(2)當本底真空度達到5.0×10-4Pa～2.0×10-3Pa，...