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本發(fā)明涉及一種利用坩堝上升提拉法制備大片狀藍(lán)寶石單晶體的方法，本方法采用上端開口的扁平狀結(jié)構(gòu)坩堝，坩堝的兩側(cè)對稱水平布置多個電阻式發(fā)熱體，發(fā)熱體包圍坩堝形成兩個溫區(qū)，即結(jié)晶區(qū)和位于結(jié)晶區(qū)下方的熔融區(qū)，兩個溫區(qū)獨立加熱、獨立控溫、獨立在面板上...該專利屬于河南西格馬晶體科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過河南西格馬晶體科技有限公司授權(quán)不得商用。