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本發明涉及一種窄帶隙的Sb2S3半導體薄膜的水熱制備方法，溶液中含有摩爾比為10：（9?80）的酒石酸銻鉀和硫代硫酸鈉，溶液的pH值介于4?4.5之間，溶液經攪拌超聲后用水熱法在ITO玻璃基底上直接制備出了附著力良好的Sb2S3薄膜，然后在...
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