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本發(fā)明公開了一種相變化存儲器的寫入方法及讀取方法。相變化存儲器具有多個(gè)存儲單元。寫入方法包括以下步驟。施加至少一加壓脈沖以老化此些存儲單元的至少其中之一。施加一起始脈沖至相變化存儲器的所有的存儲單元，以提高各個(gè)存儲單元的阻抗。施加一偵測脈沖...該專利屬于旺宏電子股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過旺宏電子股份有限公司授權(quán)不得商用。