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本發明屬于半導體分離技術領域，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：ａ．將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；ｂ．用Ｓｉ３Ｎ４涂料刷抹坩堝底部和內壁，讓其自然干燥；ｃ．把顆粒狀堝底料放置在坩堝內；ｄ．裝有顆粒狀堝底料的坩堝放...
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