溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供了一種提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，包括：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，分別提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；針對MOS器件的電壓操作范...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供了一種提高MOS器件模擬應用模型精準性的方法，包括：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區域；針對所述至少兩個電壓區域中的每個電壓區域，分別提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；針對MOS器件的電壓操作范...