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一種電容的制造方法、以及CMOS圖像傳感器的制造方法,電容制造方法包括:提供形成有STI結構的襯底,STI結構的上表面高于襯底的表面;在襯底和STI結構上形成堆疊層,堆疊層包括應力緩沖層、以及其上的硬掩模層;在堆疊層內形成露出表面的開口;在...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司授權不得商用。
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一種電容的制造方法、以及CMOS圖像傳感器的制造方法,電容制造方法包括:提供形成有STI結構的襯底,STI結構的上表面高于襯底的表面;在襯底和STI結構上形成堆疊層,堆疊層包括應力緩沖層、以及其上的硬掩模層;在堆疊層內形成露出表面的開口;在...