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一種低電容的靜電釋放保護器件的半導體結構以及制造方法，在第一摻雜類型的半導體襯底(401)的頂面的第一區域、第二區域分別形成第一摻雜類型的掩埋層(402)、第二摻雜類型的掩埋層(403)；在所述第一摻雜類型的掩埋層(402)以及所述第二摻雜...該專利屬于矽力杰半導體技術（杭州）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過矽力杰半導體技術（杭州）有限公司授權不得商用。
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