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本發明揭露一種紅外線影像感測器組件及其制造方法。紅外線影像感測器組件包含至少一III?V族化合物層于半導體基板上,其中III?V族化合物層自圖案中曝露的部分作用為主動像素區以探測入射紅外線。紅外線影像感測器組件包含至少一晶體管耦接至主動像素...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明揭露一種紅外線影像感測器組件及其制造方法。紅外線影像感測器組件包含至少一III?V族化合物層于半導體基板上,其中III?V族化合物層自圖案中曝露的部分作用為主動像素區以探測入射紅外線。紅外線影像感測器組件包含至少一晶體管耦接至主動像素...