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本發明提出了一種在硅襯底上沉積電介質薄膜的方法和應用該方法獲得的太陽能電池。該方法包括：清洗硅襯底的表面；在硅襯底的表面通過原子層沉積法沉積電介質薄膜，在溫度T1低于350攝氏度下循環操作以下步驟直至電介質薄膜達到一預定厚度D1：持續供給含...該專利屬于常州天合光能有限公司;澳大利亞國立大學所有，僅供學習研究參考，未經過常州天合光能有限公司;澳大利亞國立大學授權不得商用。
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本發明提出了一種在硅襯底上沉積電介質薄膜的方法和應用該方法獲得的太陽能電池。該方法包括：清洗硅襯底的表面；在硅襯底的表面通過原子層沉積法沉積電介質薄膜，在溫度T1低于350攝氏度下循環操作以下步驟直至電介質薄膜達到一預定厚度D1：持續供給含...