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本發明提供了一種TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板，主要包括：在銅電極經刻蝕形成源漏極金屬膜層后，對后續剝離工藝分兩步進行：第一步對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠進行干法剝離，以去除部分所述光刻膠；第二步在對所述源漏極金屬膜層上的剩...該專利屬于深圳市華星光電技術有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過深圳市華星光電技術有限公司授權不得商用。
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