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本實用新型公開了一種光控半導體開關。所述的光控半導體開關的內部包括從上至下依次排列的屏蔽地電極、片式半導體激光器、激光分光耦合器、大面積半導體單元和屏蔽高壓電極，在片式半導體激光器、激光分光耦合器的間隙內連接有取電模塊或升壓模塊，光控半導體...該專利屬于中國工程物理研究院流體物理研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國工程物理研究院流體物理研究所授權不得商用。
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本實用新型公開了一種光控半導體開關。所述的光控半導體開關的內部包括從上至下依次排列的屏蔽地電極、片式半導體激光器、激光分光耦合器、大面積半導體單元和屏蔽高壓電極，在片式半導體激光器、激光分光耦合器的間隙內連接有取電模塊或升壓模塊，光控半導體...