溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

提供一種使用含－Ｓｉ氣體在半導體襯底上刻蝕含－碳層的方法，以及一種制造半導體器件的相關方法，其中通過使用根據本發明形成的以及具有幾十ｎｍ寬度的含－碳層圖形作為刻蝕掩模，刻蝕層間絕緣層，形成具有優異側壁外形的多個接觸孔。為了刻蝕待用作第二刻蝕...
該專利屬于三星電子株式會社所有，僅供學習研究參考，未經過三星電子株式會社授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。