溫馨提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本發(fā)明提供了一種MIM電容器中絕緣體薄膜及其制備方法，所述方法包括：提供一襯底，將襯底放入反應(yīng)腔室內(nèi)，向反應(yīng)腔室通入反應(yīng)氣體，以及通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在襯底上沉積形成薄膜。其中，反應(yīng)氣體包括硅源、氮源和稀釋氣體，反應(yīng)腔室的壓力介于...該專利屬于廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司授權(quán)不得商用。