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本申請公開了一種掩膜版的制作方法，包括以下步驟：S1:基板,面A向上，面B為面A的相對面；S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成第一凹部和預凹部；S3:再次在面A及面B上...該專利屬于成都拓維高科光電科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過成都拓維高科光電科技有限公司授權不得商用。
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