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本發(fā)明提供一種可改善深孔填充的鍍膜設(shè)備及方法。設(shè)備包括:腔體、靶材承載盤、磁控組件、基座及矯正器;所述靶材承載盤位于腔體頂部,用于固定靶材,所述靶材與第一脈沖電源電連接,以由第一脈沖電源提供正負(fù)非對稱雙極性脈沖;所述磁控組件位于靶材承載盤上...該專利屬于上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司所有,僅供學(xué)習(xí)研究參考,未經(jīng)過上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司授權(quán)不得商用。