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本申請(qǐng)公開(kāi)了一種直拉單晶硅直徑測(cè)量方法、裝置和直拉單晶硅生長(zhǎng)裝置，所述方法包括：控制第一校準(zhǔn)光源和第二校準(zhǔn)光源發(fā)光，基于第一測(cè)量設(shè)備獲取第一校準(zhǔn)光源的第一坐標(biāo)并基于第二測(cè)量設(shè)備獲取第二校準(zhǔn)光源的第二坐標(biāo)；基于第一坐標(biāo)、第二坐標(biāo)和第一距離獲取...該專利屬于上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司授權(quán)不得商用。