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本發明公開一種低蒸散的覆膜擴散陰極，制備及應用。所述覆膜擴散陰極包括陰極基體、發射材料以及貴金屬膜層；其中，所述發射材料為鋇鍶鈣鋁氧化物四元陰極發射物質；所述鋇鍶鈣鋁各元素的摩爾比為10?35:1?20:1?20:2?50。本發明通過大量實...該專利屬于中國電子科技集團公司第十二研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國電子科技集團公司第十二研究所授權不得商用。
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本發明公開一種低蒸散的覆膜擴散陰極，制備及應用。所述覆膜擴散陰極包括陰極基體、發射材料以及貴金屬膜層；其中，所述發射材料為鋇鍶鈣鋁氧化物四元陰極發射物質；所述鋇鍶鈣鋁各元素的摩爾比為10?35:1?20:1?20:2?50。本發明通過大量實...