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本發明公開了一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管外延片及其制備方法、HEMT，涉及場效應晶體管技術領域。其中，氮化鎵基高電子遷移率晶體管外延片包括襯底，依次層疊于所述襯底上的復合層、溝道層、插入層、勢壘層、蓋帽層；所述復合層包括依次層疊于所述襯底...
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