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本發明公開一種半導體元件及其制作方法，其中該制作半導體元件的方法包括：首先形成一淺溝隔離于基底內，然后形成一第一柵極結構于該基底上并設于該淺溝隔離旁，形成一第一摻雜區于該第一柵極結構以及該淺溝隔離之間，形成一第二摻雜區于該第一摻雜區以及該第...
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