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本發(fā)明提供不僅抑制載流子濃度且為低位錯(cuò)密度、而且位錯(cuò)密度為零的區(qū)域的面積在GaAs晶圓面中所占的比例較大的GaAs晶圓。一種GaAs晶圓，其特征在于，所述GaAs晶圓具有：1.0×10<supgt;17</supgt;cm<...該專(zhuān)利屬于同和電子科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)同和電子科技有限公司授權(quán)不得商用。