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本發明提供一種可減小等離子體損傷效應的ＭＯＳ管，制作在硅襯底上，具有柵源漏極及分別與柵極和硅襯底連接的柵極金屬墊和襯底金屬墊。現有技術僅在柵極金屬墊中設置金屬跳線，當最小特征尺寸和柵氧厚度不斷減小時，襯底金屬墊上的等離子體損傷效應對ＭＯＳ管...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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