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本發明涉及半導體制造技術領域，本發明公開一種非對稱電容的鐵電場效應晶體管及制備方法，鐵電場效應晶體管包括場效應晶體管結構和非對稱鐵電記憶電容結構；其中，非對稱鐵電記憶電容結構包括：二維石墨烯導電浮柵、二維層狀鐵電材料層和柵電極，二維石墨烯導...
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