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本發(fā)明提出一種薄膜晶體管,其包括一柵極、一柵絕緣層、一溝道層、一源極與一漏極。柵極配置于一基板上,柵絕緣層覆蓋于柵極上。溝道層配置于柵極上方的柵絕緣層上,溝道層的縱向剖面可以為波浪狀,且源極與漏極配置于溝道層上。此外,溝道層的縱向剖面亦可為...該專利屬于中華映管股份有限公司所有,僅供學習研究參考,未經(jīng)過中華映管股份有限公司授權(quán)不得商用。
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本發(fā)明提出一種薄膜晶體管,其包括一柵極、一柵絕緣層、一溝道層、一源極與一漏極。柵極配置于一基板上,柵絕緣層覆蓋于柵極上。溝道層配置于柵極上方的柵絕緣層上,溝道層的縱向剖面可以為波浪狀,且源極與漏極配置于溝道層上。此外,溝道層的縱向剖面亦可為...