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本申請提供一種半導體結構的制造方法。所述制造方法包括：提供半導體中間結構，半導體中間結構包括多個芯片及包封層；半導體中間結構包括第一表面和第二表面；在半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識；根據測試芯片的產品標識的設計位置信息，在第二...該專利屬于矽磐微電子（重慶）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過矽磐微電子（重慶）有限公司授權不得商用。
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本申請提供一種半導體結構的制造方法。所述制造方法包括：提供半導體中間結構，半導體中間結構包括多個芯片及包封層；半導體中間結構包括第一表面和第二表面；在半導體中間結構上設置與測試芯片對應的參考標識；根據測試芯片的產品標識的設計位置信息，在第二...