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本發明提供一種整合ＣＭＯＳ組件及ＢＪＴ組件的半導體裝置的制造方法，其包括提供一半導體襯底具有一第一區域和一第二區域，其中第一區域包括一ＣＭＯＳ組件，且第二區域包括一ＢＪＴ組件。順應性地沉積一介電層于所述半導體襯底上。移除部份的所述介電層，以...該專利屬于世界先進積體電路股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過世界先進積體電路股份有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種整合ＣＭＯＳ組件及ＢＪＴ組件的半導體裝置的制造方法，其包括提供一半導體襯底具有一第一區域和一第二區域，其中第一區域包括一ＣＭＯＳ組件，且第二區域包括一ＢＪＴ組件。順應性地沉積一介電層于所述半導體襯底上。移除部份的所述介電層，以...