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本發明公開了一種普通金屬掩膜版，包括基片，基片包括AA區和位于AA區外將AA區包圍在內的邊緣區，邊緣區包括左邊緣區、右邊緣區、上邊緣區和下邊緣區，上邊緣區的邊緣部分為上夾持區，下邊緣區的邊緣部分為下夾持區，所述上夾持區和下夾持區各自包括若干...該專利屬于成都拓維高科光電科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過成都拓維高科光電科技有限公司授權不得商用。
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