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本發明公開了一種改善柵極電場的碳化硅場效應管器件，屬于半導體器件技術領域，包括多層JFET區域模塊；所述多層JFET區域模塊包括從下到上依次堆疊的第一JFET區域層、第二JFET區域層和第三JFET區域層；所述第一JFET區域層的寬度和第三...該專利屬于強華時代（成都）科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過強華時代（成都）科技有限公司授權不得商用。
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