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本發(fā)明屬于半導體材料及器件技術領域，公開了一種基于圖案化起伏二硫化鉬溝道的場效應晶體管及其制備方法，該場效應晶體管包括二硫化鉬層、金屬源電極、金屬漏電極、絕緣介質(zhì)層、金屬柵電極和圖案化起伏的襯底，其中：二硫化鉬層為單分子層厚度的二硫化鉬單晶...該專利屬于華中科技大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過華中科技大學授權不得商用。
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本發(fā)明屬于半導體材料及器件技術領域，公開了一種基于圖案化起伏二硫化鉬溝道的場效應晶體管及其制備方法，該場效應晶體管包括二硫化鉬層、金屬源電極、金屬漏電極、絕緣介質(zhì)層、金屬柵電極和圖案化起伏的襯底，其中：二硫化鉬層為單分子層厚度的二硫化鉬單晶...