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本發(fā)明公開了一種GaN功率器件結(jié)構(gòu)、結(jié)溫測(cè)試裝置包括N型SiC襯底，N型SiC襯底的上端設(shè)置有緩沖層，緩沖層的上端沉積金屬形成漏極金屬層，漏極金屬層的上端設(shè)置有由高度摻雜的N型GaN層形成的導(dǎo)通層，導(dǎo)通層的上端設(shè)置有由輕摻雜N型GaN層形成...該專利屬于西安理工大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過西安理工大學(xué)授權(quán)不得商用。