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本發明公開了一種超結器件的終端結構中，保護環氧化膜覆蓋在過渡區和終端區的超結結構的表面。各P型柱具有第一表面區域，第一表面區域中的部分P型雜質會熱偏析到保護環氧化膜中。第二P型注入雜質位于終端區的超結結構的第二表面區域中，第二表面區域和第一...該專利屬于上海鼎陽通半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海鼎陽通半導體科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種超結器件的終端結構中，保護環氧化膜覆蓋在過渡區和終端區的超結結構的表面。各P型柱具有第一表面區域，第一表面區域中的部分P型雜質會熱偏析到保護環氧化膜中。第二P型注入雜質位于終端區的超結結構的第二表面區域中，第二表面區域和第一...