溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供了一種硅基OLED強微腔陽極的制備方法，屬于半導體技術領域。本發明利用干法刻蝕除去所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區之間的透明導電層物質以及金屬電極沉積層，形成所述金屬電極層，然后去除所述第一子像素區、第二子像素區和第三...該專利屬于湖畔光芯半導體（江蘇）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過湖畔光芯半導體（江蘇）有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供了一種硅基OLED強微腔陽極的制備方法，屬于半導體技術領域。本發明利用干法刻蝕除去所述第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區之間的透明導電層物質以及金屬電極沉積層，形成所述金屬電極層，然后去除所述第一子像素區、第二子像素區和第三...